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1. (WO2001080298) PROCESSUS DE PRETRAITEMENT AUX U.V. DESTINE A UNE COUCHE ULTRA-MINCE D'OXYNITRURE LORS DE LA FORMATION DE FILMS AU NITRURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/080298    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/012286
Date de publication : 25.10.2001 Date de dépôt international : 17.04.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    15.11.2001    
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/314 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01)
Déposants : MATTSON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 2800 Bayview Drive, Fremont, CA 94538 (US) (Tous Sauf US).
TAY, Sing-Pin [CA/US]; (US) (US Seulement).
LEVY, Sagy [IL/US]; (US) (US Seulement).
HU, Yao, Zhi [US/US]; (US) (US Seulement).
GELPEY, Jeffrey [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : TAY, Sing-Pin; (US).
LEVY, Sagy; (US).
HU, Yao, Zhi; (US).
GELPEY, Jeffrey; (US)
Mandataire : ROGOWSKI, Patricia, Smink; Connolly Bove Lodge & Hutz LLP, 1220 Market Street, P.O. Box 2207, Wilmington, DE 19899 (US).
MATTSON TECHNOLOGY INC.; c/o STEAG AG, DE-45117, ESSEN (DE)
Données relatives à la priorité :
60/197,575 17.04.2000 US
Titre (EN) UV PRETREATMENT PROCESS FOR ULTRA-THIN OXYNITRIDE FOR FORMATION OF SILICON NITRIDE FILMS
(FR) PROCESSUS DE PRETRAITEMENT AUX U.V. DESTINE A UNE COUCHE ULTRA-MINCE D'OXYNITRURE LORS DE LA FORMATION DE FILMS AU NITRURE DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)The oxynitride or oxide layer formed on a semiconductor substrate is pre-treated with UV-excited gas (such as chlorine or nitrogen) to improve the layer surface condition and increase the density of nucleation sites for subsequent silicon nitride deposition. The pre-treatment is shown to reduce the root mean square surface roughness of thinner silicon nitride films (with physical thicknesses below 36 Å, or even below 20 Å) that are deposited on the oxynitride layer by chemical vapor deposition (CVD).
(FR)Selon la présente invention, la couche d'oxynitrure ou d'oxyde formée sur un substrat à semi-conducteurs est pré-traitée avec un gaz excité par les U.V. (tel que du chlore ou de l'azote) pour améliorer l'état de la surface de la couche et augmenter la densité des sites de nucléation pour le dépôt ultérieur de nitrure de silicium. Le prétraitement a pour effet de réduire la valeur quadratique moyenne de la rugosité de surface de films au nitrure de silicium plus minces (ayant une épaisseur réelle inférieure à 36 Å pouvant même être inférieure à 20 Å) qui sont déposés sur la couche d'oxynitrure par dépôt chimique en phase vapeur (CVD).
États désignés : CA, CN, DE, IL, JP, KR, SG, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)