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1. (WO2001080297) APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/080297    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/003245
Date de publication : 25.10.2001 Date de dépôt international : 16.04.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.08.2001    
CIB :
H01J 37/32 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-8481 (JP) (Tous Sauf US).
HIMORI, Shinji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKAHASHI, Toshiki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOMATSU, Takumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HIMORI, Shinji; (JP).
TAKAHASHI, Toshiki; (JP).
KOMATSU, Takumi; (JP)
Mandataire : SUZUYE, Takehiko; c/o Suzuye & Suzuye 7-2, Kasumigaseki 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-116304 18.04.2000 JP
Titre (EN) PLASMA PROCESSING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)A plasma processing apparatus for plasma processing using a high-density plasma and adaptable to finer microfabrication comprise an electrode plate provided with an upper electrode having a dielectric member or a cavity and a lower electrode serving as a susceptor and opposed to the upper electrode. The size and dielectric constant of the dielectric member are determined so that resonance may be caused by the frequency of high-frequency power fed to the central portion of the back of the electrode and that the electric field is perpendicular to the electrode plate may be produced so as to reduce the uneveness of the distribution of the electric field over the top surface of the electrode.
(FR)La présente invention concerne un appareil de traitement au plasma permettant le traitement au plasma par l'intermédiaire de plasma haute densité, et pouvant s'adapter à une microfabrication plus fine. Ledit appareil comprend une plaque d'électrode dotée d'une électrode supérieure présentant un élément diélectrique ou une cavité, et d'une électrode inférieure servant de suscepteur et étant opposée à l'électrode supérieure. La taille et la constante diélectrique de l'élément diélectrique sont déterminés de sorte que la fréquence de la puissance haute fréquence alimentant la partie centrale de l'arrière de l'électrode, peut provoquer la résonance, et de sorte que le champ électrique perpendiculaire à la plaque d'électrode, peut être produit de façon à réduire l'irrégularité de distribution du champ électrique sur la surface supérieure de l'électrode.
États désignés : KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)