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1. (WO2001080288) LASER A CAVITE VERTICALE ET A EMISSION PAR LA SURFACE (VCSEL) NE COMPRENANT PAS D'ALUMINIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/080288    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/040143
Date de publication : 25.10.2001 Date de dépôt international : 16.02.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    30.10.2001    
CIB :
H01S 5/02 (2006.01), H01S 5/183 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01)
Déposants : MP TECHNOLOGIES LLC [US/US]; 1500 Sheridan Road Wilmette, IL 60091 (US)
Inventeurs : RAZEGHI, Manijeh; (US)
Mandataire : SHEKLETON, Gerald, T.; Welsh & Katz, Ltd. 22nd Floor 120 S. Riverside Plaza Chicago, IL 60606 (US)
Données relatives à la priorité :
09/550,665 17.04.2000 US
Titre (EN) ALUMINUM-FREE VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASERS (VCSELs)
(FR) LASER A CAVITE VERTICALE ET A EMISSION PAR LA SURFACE (VCSEL) NE COMPRENANT PAS D'ALUMINIUM
Abrégé : front page image
(EN)An A1-free VCSEL is grown by MOCVD procedure by growing GaInP/GaAs as a conventional distributed Bragg reflector (DBR) 36 or less periods are then formed as the active layer. The DBRs are composed of repeating layers of a 69 nm period of GaAs and a 76 nm period of InGaP to form a superlattice as quarter wave thickness stacks. After the lower layer of n-type DBR is deposited by MOCVD, a lift-off procedure opens up windows in an evaporated layer of SiO2. The active region and upper p-type DBR is then deposited by MOCVD.
(FR)La présente invention concerne un laser à cavité verticale et à émission par la surface (VCSEL) ne contenant pas d'aluminium qu'on produit au moyen d'une procédure de dépôt chimique métal-oxyde en phase vapeur (MOCVD) dans laquelle on fait pousser du GaInP/GaAs pour former un réflecteur Bragg réparti classique (DBR) comportant une couche active constituée, au maximum, de 36 périodes. Les DBR sont composés de couches successives d'une période de 69 nm de GaAs et d'une période de 76 nm de InGaP formant une superstructure cristalline se présentant sous forme d'empilements d'une épaisseur quart d'onde. Une fois que la couche inférieure de DBR de type n a été déposée par MOCVD, une procédure de dégagement ouvre les fenêtres d'une couche évaporée de SiO2. La région active et le DBR de type p supérieur sont ensuite déposés par MOCVD.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)