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1. (WO2001078204) CAVITE D'INJECTION A POMPAGE OPTIQUE POUR DISPOSITIFS A POMPAGE OPTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/078204    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/011450
Date de publication : 18.10.2001 Date de dépôt international : 09.04.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.08.2001    
CIB :
H01S 5/04 (2006.01), H01S 5/10 (2006.01), H01S 5/183 (2006.01)
Déposants : THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA, as represented by THE SECRETARY OF THE NAVY [US/US]; Naval Research Laboratory 4555 Overlook Avenue, SW Washington, DC 20375-5325 (US)
Inventeurs : BEWLEY, William, W.; (US).
MEYER, Jerry, R.; (US).
FELIX, Christopher, L.; (US).
VURGAFTMAN, Igor; (US)
Mandataire : KARASEK, John, J.; Associate Counsel (Patents) Naval Research Laboratory 4555 Overlook Avenue, SW Washington, DC 20375-5325 (US)
Données relatives à la priorité :
60/195,193 07.04.2000 US
Titre (EN) OPTICAL PUMPING INJECTION CAVITY FOR OPTICALLY PUMPED DEVICES
(FR) CAVITE D'INJECTION A POMPAGE OPTIQUE POUR DISPOSITIFS A POMPAGE OPTIQUE
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus for receiving optical pump radiation having a wavelength $g(l)p and transmitting pump light to an active region(10). The apparatus includes a first (20) and second (30) reflector, each reflector (20, 30) being reflective at the wavelength $g(l)p, disposed on opposite sides of the active region (10), where the separation between the reflector (20, 30) creates a cavity that is resonant at the pump wavelength $g(l)p. The separation distance is preferably about m$g(l)/2ncos$g(u), where n is the average index of refraction of the material having an active region (10), $g(u) is the angle that the pump beam transverses relative the normal of said reflectors (20, 30), and m is any positive integer. The apparatus provides low cost, high power, optically pumped edge emitting and surface emitting lasers which can be operated at elevated temperatures or power levels. The apparatus further provides mid-IR, high power optically pumped semiconductor lasers with high pump absorbance, long pump wavelength, and a thin active layer.
(FR)L'invention concerne un appareil destiné à recevoir un rayonnement de pompe optique présentant une longueur d'onde $g(l)P et émettant une lumière de pompe vers une zone active (10). Cet appareil comprend un premier (20) et un second (30) réflecteur, chaque réflecteur (20, 30) étant réfléchissant au niveau de la longueur d'onde $g(l)P, disposé sur les côtés opposés de la zone active (10), la séparation entre les réflecteurs (20, 30) formant une cavité résonante au niveau de la longueur d'onde $g(l)P de la pompe. La distance de séparation est de préférence d'environ m$g(l)/2ncos$g(u), où n est l'indice de réfraction moyen de la matière comprenant une zone active (10), $g(u) est l'angle que traverse le faisceau de la pompe par rapport à la normale desdits réflecteurs (20, 30), et m représente un nombre entier positif quelconque. Cet appareil permet d'obtenir des lasers à émission par la surface et à émission latérale à pompage optique de grande puissance et à moindres frais, ces lasers pouvant être utilisés à des températures ou à des niveaux de puissance élevés. Ledit appareil permet également d'obtenir des lasers à semi-conducteurs à pompage optique de grande puissance dans l'infrarouge moyen, ces lasers présentant une absorbance de pompe accrue, une longueur d'onde de pompe élevée et une couche active fine.
États désignés : CA, JP, KR.
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)