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1. (WO2001078135) PROCEDES POUR REPARER DES DEFECTUOSITES SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2001/078135 N° de la demande internationale : PCT/US2001/009500
Date de publication : 18.10.2001 Date de dépôt international : 22.03.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 23.10.2001
CIB :
H01L 21/288 (2006.01) ,H01L 21/321 (2006.01) ,H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : NUTOOL, INC[US/US]; 1645 McCandless Drive Milpitas, CA 95035, US
Inventeurs : UZOH, Cyprian, E.; US
Mandataire : JAKOPIN, David, A. ; Pillsbury Winthrop LLP 1600 Tysons Boulevard McLean, VA 22102, US
Données relatives à la priorité :
09/534,70424.03.2000US
Titre (EN) METHODS FOR REPAIRING DEFECTS ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCEDES POUR REPARER DES DEFECTUOSITES SUR UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN) The present invention relates to methods for repairing defects (8, 10) on a semiconductor substrate. This is accomplished by selectively depositing the conductive material in defective portions (8) in the cavities while removing residual portions (10) from the field regions of the substrate. Another method according to the present invention includes forming a uniform conductive material overburden (7) on a top surface of the substrate. The present invention also disclosed a method for depositing a second conductive material on the first conductive material of the substrate.
(FR) L'invention concerne des procédés pour réparer des défectuosités (8, 10) sur un substrat semi-conducteur. Cette opération est réalisée par déposition sélective du matériau conducteur sur les parties défectueuses (8) dans les cavités, tout en éliminant les parties résiduelles (10) des régions de champ du substrat. Un autre procédé de cette invention comprend la formation d'une surcharge uniforme de matériau conducteur (7) sur une face supérieure du substrat. Cette invention concerne également un procédé consistant à déposer un second matériau conducteur sur le premier matériau conducteur du substrat.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)