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1. (WO2001078093) CONDENSATEUR REPARTI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/078093    N° de la demande internationale :    PCT/CA2001/000484
Date de publication : 18.10.2001 Date de dépôt international : 06.04.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.10.2001    
CIB :
H01L 23/498 (2006.01), H01L 23/64 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01)
Déposants : GENNUM CORPORATION [CA/CA]; 970 Fraser Drive, Burlington, Ontario L7L 5P5 (CA) (Tous Sauf US).
WATT, Michael, Man-Kuen [CA/CA]; (CA) (US Seulement)
Inventeurs : WATT, Michael, Man-Kuen; (CA)
Mandataire : BERESKIN & PARR; 40 King Street West, 40th floor, Toronto, Ontario M5H 3Y2 (CA)
Données relatives à la priorité :
09/544,550 06.04.2000 US
Titre (EN) DISTRIBUTED CAPACITOR
(FR) CONDENSATEUR REPARTI
Abrégé : front page image
(EN)A multi-layer distributed capacitor structure comprises a bottom electrode layer overlying a monolithic substrate, intermediate pairs of layers of film electrode and dielectric material overlying the bottom electrode, and a top pair of layers of a film electrode and dielectric material overlying the intermediate pairs. The structure contains multiple openings, each opening extending from the top pair of layers through the intermediate layers and optionally through said bottom electrode. Each electrode layer also extends laterally beyond and around the entire periphery of the layers positioned above such that the electrode layers bordering on each opening has edges running along the perimeter of the opening which are left exposed for electrical connection to a circuit using wire interconnects. Accordingly, electrode layers can be selectively accessed through openings to provide local decoupling capacitance to the power supply and ground nodes of an integrated circuit flip-chip mounted on the top surface of the structure. Since local electrical connections can be made between the electrode layers within each opening and the integrated circuit logic gates, lead inductance and equivalent series resistance is significantly reduced, effecting improved switching noise reduction. Further, the structure can be configured as a power distribution circuit for an integrated circuit by directly connecting the electrode layers of structure to a circuit power supply and ground through integrated circuit package leads. Since the electrode layers of structure represent substantially planar power and ground planes, this arrangement results in additional reductions in inductance and resistance of the electrical path.
(FR)Cette invention concerne une structure multicouche de condensateur réparti comprenant une couche électrode inférieure recouvrant un substrat monolithique, des paires intermédiaires de couches électrodes en film et un matériau diélectrique recouvrant la couche inférieure, et une paire supérieure d'électrodes en film et de matériau diélectrique recouvrant les paires intermédiaires. Cette structure comporte de multiples passages partant chacune de la paire supérieure de couches pour traverser les couches intermédiaires et, éventuellement, ladite électrode inférieure. Chacune des couches électrodes s'étend latéralement au delà et autour de la périphérie des couches située au-dessus de sorte que les couches électrodes qui jouxtent chacune des ouvertures présentent sur le périmètre de l'ouverture des bords exposés en vue du raccordement à un circuit au moyen de fils d'interconnexion. Par voie de conséquence, il est possible d'accéder sélectivement aux couches électrodes via les passages, ce qui permet d'obtenir une capacitance de découplage de cloison par rapport à l'alimentation en courant et des noeuds de mise à la terre d'une puce à protubérances à circuit intégré montée sur la surface supérieure de la structure. Comme des liaisons électriques locales peuvent être établies entre les couches électrodes à l'intérieur de chaque passage et les portes logiques du circuit intégré, l'inductance des bornes et la résistance en séries équivalente peuvent être sensiblement réduites, ce qui a pour effet d'atténuer les bruits de commutation. Cette structure peut par ailleurs être configurée comme un circuit de distribution de puissance pour circuit intégré. A cette fin, on relie directement les couches électrodes de la structure à la source d'alimentation et on assure la mise à la terre par des ensembles de fils pour circuits intégrés. Comme les couches électrodes de la structure constituent des zones d'alimentation en énergie et de mise à la terre sensiblement plates, cette configuration procure une diminution supplémentaire de l'inductance et de la résistance du chemin électrique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)