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1. (WO2001078078) DISPOSITIF DE LECTURE D'UNE MEMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/078078    N° de la demande internationale :    PCT/FR2001/001077
Date de publication : 18.10.2001 Date de dépôt international : 09.04.2001
CIB :
G11C 7/14 (2006.01), G11C 16/28 (2006.01)
Déposants : DOLPHIN INTEGRATION [FR/FR]; 39, avenue du Granier F-38240 Meylan (FR) (Tous Sauf US).
COVAREL, Hervé [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
COMPAGNE, Eric [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : COVAREL, Hervé; (FR).
COMPAGNE, Eric; (FR)
Mandataire : MICHEL DE BEAUMONT; Cabinet Conseil 1, rue Champollion F-38000 Grenoble (FR)
Données relatives à la priorité :
00/04589 10.04.2000 FR
Titre (EN) DEVICE FOR READING A STORAGE
(FR) DISPOSITIF DE LECTURE D'UNE MEMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a device for reading a storage cell (4), comprising a reading differential amplifier (18) having a first input terminal (16) connected to a column of cells (10) and a circuit (34) designed to feed to a second input terminal (20) of the amplifier (18) a reference voltage (Vref). The circuit (34) comprises means (38) for storing the voltage of said column and means (38, 40, 42) for applying as reference voltage (Vref) the stored voltage modified by a predetermined quantity.
(FR)L'invention concerne un dispositif de lecture d'une cellule (4) d'une mémoire, comprenant un amplificateur différentiel de lecture (18) ayant une première borne d'entrée (16) reliée à une colonne de cellules (10) et un circuit (34) destiné à fournir à une deuxième borne d'entrée (20) de l'amplificateur (18) une tension de référence (Vref). Le circuit (34) comporte un moyen (38) pour mémoriser la tension de ladite colonne et un moyen (38, 40, 42) pour appliquer en tant que tension de référence (Vref) la tension mémorisée modifiée d'une quantité prédéterminée.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)