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1. (WO2001077007) TAMPON DE BUTEE MECANIQUE FORME SUR LA FACE INFERIEURE D'UN DISPOSITIF MEMS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/077007    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/011046
Date de publication : 18.10.2001 Date de dépôt international : 04.04.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.10.2001    
CIB :
B81B 3/00 (2006.01), G02B 26/08 (2006.01)
Déposants : ONIX MICROSYSTEMS, INC. [US/US]; 4138 Lakeside Drive Richmond, CA 94806 (US)
Inventeurs : DANEMAN, Michael, J.; (US).
BEHIN, Behrang; (US).
KIANG, Meng-Hsiung; (US)
Mandataire : RITCHIE, David, B.; Thelen Reid & Priest, LLP P.O. Box 640640 San Jose, CA 95164-0640 (US)
Données relatives à la priorité :
09/546,432 10.04.2000 US
Titre (EN) MECHANICAL LANDING PAD FORMED ON THE UNDERSIDE OF A MEMS DEVICE
(FR) TAMPON DE BUTEE MECANIQUE FORME SUR LA FACE INFERIEURE D'UN DISPOSITIF MEMS
Abrégé : front page image
(EN)A device having a landing pad structure on an underside of a device and method for fabricating same. The device is formed from a device layer with at least one landing pad protruding from an underside thereof. The landing pad is attached to the device layer by a plug passing through an opening in the device layer. The device may be attached to the device layer by one or more compliant flexures, which allow the device to rotate in and out of a plane defined by the device layer. The landing pads are fabricated by forming one or more via through the device layer. An underlying sacrificial layer is then partially etched to form one or more depressions at locations corresponding to locations of the vias in the device layer. The vias and depressions are then filled with a landing pad material to form a structure having one or more landing pads protruding from an underside of the device layer. The sacrificial layer is subsequently removed to release the device. Particular embodiments of both methods may be applied to fabricating microeletromechanical systems (MEMS) especially MEMS mirrors. The various embodiments are well suited to use with silicon on insulator (SOI) substrates.
(FR)L'invention concerne un dispositif comportant une structure de tampon de butée sur la face inférieure d'un dispositif ainsi qu'un procédé de fabrication de ce dispositif. Le dispositif est formé d'une couche comportant au moins un tampon de butée faisant saillie depuis une face inférieure de ladite couche. Le tampon de butée est fixé à la couche du dispositif par une fiche passant à travers une ouverture pratiquée dans la couche. Ce dispositif peut être fixé à ladite couche à l'aide d'une ou de plusieurs charnières compliantes, qui permettent au dispositif de tourner dans un plan défini par la couche du dispositif et hors de ce plan. Pour fabriquer ces tampons de butée, on forme un ou plusieurs trous d'interconnexions à travers la couche du dispositif. Une couche sacrificielle sous-jacente est ensuite partiellement gravée pour former une ou plusieurs dépressions en des emplacements correspondant à des emplacements des trous d'interconnexions dans la couche du dispositif. Les trous d'interconnexions et les dépressions sont ensuite remplis d'un matériau de tampon de butée afin de former une structure comportant un ou plusieurs tampons de butée faisant saillie depuis une face inférieure de la couche du dispositif. La couche sacrificielle est ultérieurement retirée afin de libérer le dispositif. Des modes de réalisation particuliers des deux procédés peuvent être appliqués à la fabrication de systèmes mécaniques microélectriques (MEMS) notamment des miroirs MEMS. Les différents modes de réalisation conviennent particulièrement à des substrats silicium sur isolant (SOI).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)