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1. (WO2001075984) EMETTEURS ACCORDES EN METAL REFRACTAIRE A REVETEMENT ANTI-REFLEXION DESTINES A ETRE UTILISES DANS DES GENERATEURS THERMOPHOTOVOLTAIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/075984    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/016912
Date de publication : 11.10.2001 Date de dépôt international : 20.06.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    01.11.2001    
CIB :
H01L 31/058 (2006.01)
Déposants : JX CRYSTALS INC. [US/US]; Suite A2, 1105 12th Avenue, N.W., Issaquah, WA 98027 (US) (Tous Sauf US).
FRAAS, Lewis, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
SAMARAS, John, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
AVERY, James, E. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FRAAS, Lewis, M.; (US).
SAMARAS, John, E.; (US).
AVERY, James, E.; (US)
Mandataire : WRAY, James, C.; Suite 300, 1493 Chain Bridge Road, McLean, VA 22101 (US)
Données relatives à la priorité :
60/194,051 03.04.2000 US
09/583,977 31.05.2000 US
Titre (EN) ANTIREFLECTION COATED REFRACTORY METAL MATCHED EMITTERS FOR USE IN THERMOPHOTOVOLTAIC GENERATORS
(FR) EMETTEURS ACCORDES EN METAL REFRACTAIRE A REVETEMENT ANTI-REFLEXION DESTINES A ETRE UTILISES DANS DES GENERATEURS THERMOPHOTOVOLTAIQUES
Abrégé : front page image
(EN)Thermophotovoltaic (TPV) electric power generators have emitters (7) with infrared (IR) outputs matched with usable wavelengths for converter cells. The emitters (7) have durable substrates (4), optional refractory isolating layers (6), conductive refractory metal or inter-metallic emitter layers (2), and refractory metal oxide antireflection layers (8). SiC substrates have tungsten or TaSi2 emitter layers and 0.14 micron HfO2, ZrO2, Al2O2, Ta2O5 and TiO2 antireflection layers used as IR emitters for GaSb converter cells in TPV generators.
(FR)Selon l'invention, des générateurs de puissance électrique thermophotovoltaïques comprennent des émetteurs (1) équipés de sorties infrarouges accordées avec des longueurs d'ondes pouvant être utilisées pour des cellules de convertisseurs. Les émetteurs (1) présentent des substrats durables (4), des couches isolantes réfractaires optionnelles (6), des couches émettrices conductrices réfractaires métalliques ou intermétalliques (2) ainsi que des couches anti-réflexion en oxyde métallique réfractaire (8). Des substrats SiC comprennent du tungstène ou des couches émettrices TaSi2 et des couches anti-réflexion de 0.14 micron HfO2, ZrO2, Al2O3, Ta2O5 et TiO2 utilisées comme émetteurs infrarouges pour des cellules de convertisseurs GaSb dans des générateurs TPV.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)