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1. (WO2001075977) DETECTEUR D'ENERGIE A SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/075977    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/002568
Date de publication : 11.10.2001 Date de dépôt international : 28.03.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.03.2001    
CIB :
H01L 31/103 (2006.01)
Déposants : HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho Hamamatsu-shi, Shizuoka 435-8558 (JP) (Tous Sauf US).
YONETA, Yasuhito [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
AKAHORI, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MURAMATSU, Masaharu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YONETA, Yasuhito; (JP).
AKAHORI, Hiroshi; (JP).
MURAMATSU, Masaharu; (JP)
Mandataire : HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Okura-honkan 6-12, Ginza 2-chome Chuo-ku, Tokyo 104-0061 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-102625 04.04.2000 JP
2000-102620 04.04.2000 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR ENERGY DETECTOR
(FR) DETECTEUR D'ENERGIE A SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A photodiode array (1) includes P+ diffused layers (4, 5), N+ channel stop layers (6, 7), and an N+ diffused layer (8). P+ diffused layers (4, 5) and N+ channel stop layers (6, 7) are formed on the back of a semiconductor substrate (3). The N+ channel stop layer (6) is formed between the adjacent P+ diffused layers (4, 5), and it has a grid pattern to separate the P+ diffused layers (4, 5). The N+ channel stop layer (7) has a frame pattern continuing from N+ channel stop layer (6) outside the P+ diffused layer (5). The N+ channel stop layer (7) is wider than the N+ channel stop layer (6). A scintillator is connected optically to the front side of the semiconductor substrate (3).
(FR)Un groupement de photodiodes (1) comprend des couches diffusées P+ (4, 5), des couches d'arrêt à canal N+ (6, 7), et une couche à diffusion N+ (8). Lesdites couches diffusées P+ (4, 5) et lesdites couches d'arrêt à canal N+ (6, 7) sont formées sur le dos d'un substrat semi-conducteur (3). La couche d'arrêt à canal N+ (6) est formée entre lesdites couches diffusées P+ (4, 5) adjacentes, et présente un motif en forme de grille servant à séparer lesdites couches diffusées P+ (4, 5). La couche d'arrêt à canal N+ (7) présente un motif en forme de cadre continu à partir de ladite couche d'arrêt à canal N+ (6) à l'extérieur de la couche diffusée P+ (5). Ladite couche d'arrêt à canal N+ (7) est plus large que ladite couche d'arrêt à canal N+ (6). Un scintillateur est connecté optiquement à la face avant du substrat semi-conducteur (3).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)