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1. (WO2001075958) PROCEDE POUR OBTENIR UNE MEILLEURE UNIFORMITE DE GRAVURE ET REDUIRE LA VARIATION DE LA VITESSE DE GRAVURE AU POLYSILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2001/075958 N° de la demande internationale : PCT/US2001/008618
Date de publication : 11.10.2001 Date de dépôt international : 16.03.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 19.10.2001
CIB :
H01L 21/3213 (2006.01)
Déposants : NI, Tuqiang[CN/US]; US (UsOnly)
TAKESHITA, Kenji[JP/US]; US (UsOnly)
CHOI, Tom[US/US]; US (UsOnly)
LIN, Frank, Y.[CN/US]; US (UsOnly)
COLLISON, Wenli[CN/US]; US (UsOnly)
LAM RESEARCH CORPORATION[US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, CA 94538, US (AllExceptUS)
Inventeurs : NI, Tuqiang; US
TAKESHITA, Kenji; US
CHOI, Tom; US
LIN, Frank, Y.; US
COLLISON, Wenli; US
Mandataire : PETERSON, James, W.; Burns, Doane, Swecker & Mathis, LLP P.O. Box 1404 Alexandria, VA 22313-1404, US
Données relatives à la priorité :
09/540,54931.03.2000US
Titre (EN) METHOD FOR IMPROVING UNIFORMITY AND REDUCING ETCH RATE VARIATION OF ETCHING POLYSILICON
(FR) PROCEDE POUR OBTENIR UNE MEILLEURE UNIFORMITE DE GRAVURE ET REDUIRE LA VARIATION DE LA VITESSE DE GRAVURE AU POLYSILICIUM
Abrégé : front page image
(EN) An apparatus and method for consecutively processing a series of semiconductor substrates with minimal plasma etch rate variation following cleaning with fluorine- containing gas and/or seasoning of the plasma etch chamber. The method includes steps of (a) placing a semiconductor substrate on a substrate support in a plasma etching chamber, (b) maintaining a vacuum in the chamber, (c) etching an exposed surface of the substrate by supplying an etching gas to the chamber and energizing the etching gas to form a plasma in the chamber, (d) removing the substrate from the chamber; and (e) consecutively etching additional substrates in the chamber by repeating steps (a-d), the etching step being carried out by minimizing a recombination rate of H and Br on a silicon carbide edge ring surrounding the substrate at a rate sufficient to offset a rate at which Br is consumed across the substrate. The method can be carried out using pure HBr or combination of HBr with other gases.
(FR) L'invention porte sur un procédé et un appareil permettant de traiter de manière consécutive une série de substrats semi-conducteurs avec une variation minimale de la vitesse de gravure au plasma après le nettoyage au gaz fluoré et/ou la mise en condition de la chambre de gravure au plasma. Ce procédé consiste à : (a)placer un substrat semi-conducteur sur un support dans une chambre de gravure au plasma, (b) maintenir un vide dans la chambre, (c) attaquer une surface exposée du substrat en envoyant un gaz dans la chambre et en excitant le gaz de façon à générer un plasma dans la chambre, (d) retirer le substrat de la chambre et (e) attaquer de manière consécutive des substrats additionnels dans la chambre en répétant les étapes (a à d). On réalise ainsi l'étape de gravure en minimisant une vitesse de recombinaison de H et Br sur le pourtour annulaire en carbure de silicium du substrat à une vitesse suffisante afin de compenser la vitesse à laquelle le Br se consume dans le substrat. Ce procédé peut être réaliser avec du HBr pur ou avec une combinaison de HBr et d'autres gaz.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)