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1. (WO2001075952) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN SEMI-CONDUCTEUR III COMPOSE DE NITRURE, ET ELEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR III A COMPOSE DE NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/075952    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/002695
Date de publication : 11.10.2001 Date de dépôt international : 29.03.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.04.2001    
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : TOYODA GOSEI CO., LTD. [JP/JP]; 1, Aza-Nagahata, Ooaza-Ochiai Haruhi-cho, Nishikasugai-gun, Aichi 452-8564 (JP) (Tous Sauf US).
KOIKE, Masayoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TEZEN, Yuta [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIRAMATSU, Toshio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAGAI, Seiji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KOIKE, Masayoshi; (JP).
TEZEN, Yuta; (JP).
HIRAMATSU, Toshio; (JP).
NAGAI, Seiji; (JP)
Mandataire : FUJITANI, Osamu; Tsuchiya Bldg. 3F 23, Ichiyanagi Dohri 1-chome Nakagawa-ku, Nagoya-shi, Aichi 454-0905 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-99948 31.03.2000 JP
2000-99949 31.03.2000 JP
Titre (EN) PRODUCTION METHOD OF III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR AND III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN SEMI-CONDUCTEUR III COMPOSE DE NITRURE, ET ELEMENT DE SEMI-CONDUCTEUR III A COMPOSE DE NITRURE
Abrégé : front page image
(EN)A III nitride compound semiconductor restrained in penetration dislocation. A GaN layer (31) is etched to an insular form, such as a dot, stripe or lattice to provide steps, and a mask (4) is formed on the bottom in a thickness that positions its upper surface below the upper surface of the GaN layer (31). GaN (32) is laterally epitaxial-grown with the upper surfaces (31a) and side surfaces (31b) of the upper treads of steps as nuclei to thereby bury step portions and then allow it to grow upward. The upper portion of the mask (4) where GaN is laterally epitaxial-grown can act as a region where the propagation of penetration dislocation provided to the GaN layer (31) is restrained.
(FR)L'invention concerne un semi-conducteur III composé de nitrure à dislocation par pénétration limitée. Une couche GaN (31) est gravée en forme insulaire, telle qu'un point, une bande ou un réseau, afin d'obtenir des niveaux, et un masque (4) est formé sur le fond dans une épaisseur qui place sa surface supérieure au-dessous de la surface supérieure de la couche GaN (31). Une GaN (32) est formée latéralement par croissance épitaxiale, les surfaces supérieures (31a) et les surfaces latérales (31b) des chapes supérieures des niveaux servant de noyaux, pour enterrer des parties de niveau, et lui permettre ainsi de croître vers le haut. La partie supérieure du masque (4) sur laquelle GaN est formée latéralement par croissance épitaxiale peut agir comme zone où la propagation de la dislocation par pénétration fournie à la couche GaN (31) est limitée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)