WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2001075941) CIRCUIT INTEGRE D'ATTAQUE EN DEMI-PONT A BAS PRIX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/075941    N° de la demande internationale :    PCT/EP2001/003561
Date de publication : 11.10.2001 Date de dépôt international : 28.03.2001
CIB :
H03K 17/06 (2006.01), H03K 17/687 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventeurs : LI, Yushan; (NL).
WONG, Stephen, L.; (NL)
Mandataire : BOSMA, Rudolphus, H., A.; Internationaal Octrooibureau B.V. Prof. Holstlaan 6 NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
09/543,017 04.04.2000 US
Titre (EN) A LOW COST HALF BRIDGE DRIVER INTEGRATED CIRCUIT
(FR) CIRCUIT INTEGRE D'ATTAQUE EN DEMI-PONT A BAS PRIX
Abrégé : front page image
(EN)The present invention introduces a low cost half bridge driver IC that overcomes the drawbacks of the prior art. In particular this invention introduces a half bridge driver IC, which is fabricated in the process technology with minimum or reduced number of masking steps to implement all the blocks and without the use of the low threshold voltage CMOS. The inventive half bridge driver IC uses a universal 12 Volt supply for all the blocks with reference to the ground or to the half bridge output. Furthermore, the low differential current from high voltage level shifter transistors (5') of the inventive half bridge driver IC, can provide enough voltage swing to set or reset the latch (7') when high threshold voltage DMOS are used in the pulse filter (6').
(FR)L'invention concerne un circuit intégré d'attaque en demi-pont à bas prix qui évite les inconvénients de l'état de la technique antérieure. En particulier, l'invention concerne un circuit intégré d'attaque en demi-pont, qui est fabriqué selon la technologie des procédés au moyen d'un minimum ou d'un nombre réduit d'opérations de masquage pour réaliser l'ensemble des blocs et sans utiliser un CMOS à basse tension de seuil. Ce circuit intégré d'attaque en demi-pont emploie une alimentation universelle 12 volts pour l'ensemble des blocs par rapport à la terre ou à la sortie en demi-pont. En outre, le faible courant différentiel issu des transistors de décalage de niveau de haute tension dudit circuit intégré d'attaque en demi-pont peut fournir une excursion de tension suffisante pour régler ou de réinitialiser le verrou lorsque des DMOS à haute tension de seuil sont utilisés dans le filtre à impulsions.
États désignés : CN, JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)