Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2001075941 - CIRCUIT INTEGRE D'ATTAQUE EN DEMI-PONT A BAS PRIX

Numéro de publication WO/2001/075941
Date de publication 11.10.2001
N° de la demande internationale PCT/EP2001/003561
Date du dépôt international 28.03.2001
CIB
H03K 17/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
06Modifications pour assurer un état complètement conducteur
H03K 17/687 2006.01
HÉLECTRICITÉ
03CIRCUITS ÉLECTRONIQUES FONDAMENTAUX
KTECHNIQUE DE L'IMPULSION
17Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts
51caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés
56par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs
687les dispositifs étant des transistors à effet de champ
CPC
H03K 17/063
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
06Modifications for ensuring a fully conducting state
063in field-effect transistor switches
H03K 17/6871
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
KPULSE TECHNIQUE
17Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
51characterised by the components used
56by the use, as active elements, of semiconductor devices
687the devices being field-effect transistors
6871the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
Déposants
  • KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL]/[NL]
Inventeurs
  • LI, Yushan
  • WONG, Stephen, L.
Mandataires
  • BOSMA, Rudolphus, H., A.
Données relatives à la priorité
09/543,01704.04.2000US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) A LOW COST HALF BRIDGE DRIVER INTEGRATED CIRCUIT
(FR) CIRCUIT INTEGRE D'ATTAQUE EN DEMI-PONT A BAS PRIX
Abrégé
(EN)
The present invention introduces a low cost half bridge driver IC that overcomes the drawbacks of the prior art. In particular this invention introduces a half bridge driver IC, which is fabricated in the process technology with minimum or reduced number of masking steps to implement all the blocks and without the use of the low threshold voltage CMOS. The inventive half bridge driver IC uses a universal 12 Volt supply for all the blocks with reference to the ground or to the half bridge output. Furthermore, the low differential current from high voltage level shifter transistors (5') of the inventive half bridge driver IC, can provide enough voltage swing to set or reset the latch (7') when high threshold voltage DMOS are used in the pulse filter (6').
(FR)
L'invention concerne un circuit intégré d'attaque en demi-pont à bas prix qui évite les inconvénients de l'état de la technique antérieure. En particulier, l'invention concerne un circuit intégré d'attaque en demi-pont, qui est fabriqué selon la technologie des procédés au moyen d'un minimum ou d'un nombre réduit d'opérations de masquage pour réaliser l'ensemble des blocs et sans utiliser un CMOS à basse tension de seuil. Ce circuit intégré d'attaque en demi-pont emploie une alimentation universelle 12 volts pour l'ensemble des blocs par rapport à la terre ou à la sortie en demi-pont. En outre, le faible courant différentiel issu des transistors de décalage de niveau de haute tension dudit circuit intégré d'attaque en demi-pont peut fournir une excursion de tension suffisante pour régler ou de réinitialiser le verrou lorsque des DMOS à haute tension de seuil sont utilisés dans le filtre à impulsions.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international