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1. (WO2001075932) DECAPAGE AMELIORE DANS UN DISPOSITIF DE GRAVURE DIELECTRIQUE GRACE A DU PLASMA A ECOULEMENT EN AVAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/075932    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/008668
Date de publication : 11.10.2001 Date de dépôt international : 16.03.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.09.2001    
CIB :
G03F 7/42 (2006.01), H01J 37/32 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01)
Déposants : LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway M/S CA-1 Fremont, CA 94538-6516 (US) (Tous Sauf US).
MARKS, Jeffrey [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MARKS, Jeffrey; (US)
Mandataire : THOMAS, C., Douglass; Beyer Weaver & Thomas, LLP 2030 Addison Street 7th floor P.O. Box 778 Berkeley, CA 94704 (US)
Données relatives à la priorité :
09/539,294 30.03.2000 US
Titre (EN) AN ENHANCED RESIST STRIP IN A DIELECTRIC ETCHER USING DOWNSTREAM PLASMA
(FR) DECAPAGE AMELIORE DANS UN DISPOSITIF DE GRAVURE DIELECTRIQUE GRACE A DU PLASMA A ECOULEMENT EN AVAL
Abrégé : front page image
(EN)A method and apparatus for performing a dielectric etch, etch mask stripping, and etch chamber clean. A wafer is placed in an etch chamber. A dielectric etch is performed on the wafer using an in situ plasma generated by an in situ plasma device in the etch chamber. The etch mask is stripped using a remote plasma generated in a remote plasma device connected to the etch chamber. The wafer is removed from the etch chamber and either the in situ plasma or the remote plasma may be used to clean the etch chamber. In etch chambers that do not use confinement rings, a heater may be used to heat the etch chamber wall to provide improved cleaning.
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil pour la gravure diélectrique, le décapage d'un masque de gravure et le nettoyage d'une chambre de gravure. Selon l'invention, une plaquette est placée dans une chambre de gravure, où elle est soumise à une gravure diélectrique faisant intervenir un plasma in situ généré par un dispositif à plasma in situ dans la chambre de gravure. Le masque de gravure est décapé à l'aide d'un plasma à distance généré dans un dispositif à plasma à distance relié à la chambre de gravure. La plaquette est ensuite retirée de la chambre de gravure, qui est alors nettoyée soit au plasma in situsoit a plasma à distance. Dans les chambres de gravure sans anneau de confinement, un générateur de chaleur peut être utilisé pour les chauffer, afin d'en améliorer le nettoyage.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)