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1. (WO2001075892) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY WITH CONCURRENT WRITE AND READ OPERATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2001/075892 N° de la demande internationale : PCT/US2001/010375
Date de publication : 11.10.2001 Date de dépôt international : 30.03.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 30.10.2001
CIB :
G11C 7/10 (2006.01) ,G11C 16/10 (2006.01) ,G11C 16/26 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
7
Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
10
Dispositions d'interface d'entrée/sortie (E/S, I/O) de données, p.ex. circuits de commande E/S de données, mémoires tampon de données E/S
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
10
Circuits de programmation ou d'entrée de données
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
26
Circuits de détection ou de lecture; Circuits de sortie de données
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC.[US/US]; 8000 South Federal Way Boise, ID 83716, US
Inventeurs : ROOHPARVAR, Frankie, F.; US
Mandataire : SLIFER, Russell, D.; Fogg, Slifer & Polglaze, P.A. P.O. Box 581009 Minneapolis, MN 55458-1009, US
Données relatives à la priorité :
09/628,18428.07.2000US
60/193,50630.03.2000US
Titre (EN) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY WITH CONCURRENT WRITE AND READ OPERATION
(FR) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY WITH CONCURRENT WRITE AND READ OPERATION
Abrégé :
(EN) A synchronous flash memory includes an array of non-volatile memory cells. The memory array is arranged in rows and columns, and can be further arranged in addressable blocks. Data communication connections are used for bi-directional data communication with an external device(s), such as a processor or other memory controller. A write latch is coupled between the data buffer and the memory array to latch data provided on the data communication connections. The memory can write data to one location, such as a memory array block, while data is read from a second location, such as a second memory array block. The write and read operations are performed on a common addressable row of the array blocks.
(FR) A synchronous flash memory includes an array of non-volatile memory cells. The memory array is arranged in rows and columns, and can be further arranged in addressable blocks. Data communication connections are used for bi-directional data communication with an external device(s), such as a processor or other memory controller. A write latch is coupled between the data buffer and the memory array to latch data provided on the data communication connections. The memory can write data to one location, such as a memory array block, while data is read from a second location, such as a second memory array block. The write and read operations are performed on a common addressable row of the array blocks.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)