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1. (WO2001075890) MEMOIRE FLASH SYNCHRONE DOTEE D'UN REGISTRE MODAL REMANENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2001/075890 N° de la demande internationale : PCT/US2001/010172
Date de publication : 11.10.2001 Date de dépôt international : 30.03.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 30.10.2001
CIB :
G06F 13/16 (2006.01) ,G06F 13/42 (2006.01) ,G11C 7/10 (2006.01) ,G11C 8/18 (2006.01) ,G11C 16/10 (2006.01) ,G11C 16/26 (2006.01)
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
13
Interconnexion ou transfert d'information ou d'autres signaux entre mémoires, dispositifs d'entrée/sortie ou unités de traitement
14
Traitement de demandes d'interconnexion ou de transfert
16
pour l'accès au bus de mémoire
G PHYSIQUE
06
CALCUL; COMPTAGE
F
TRAITEMENT ÉLECTRIQUE DE DONNÉES NUMÉRIQUES
13
Interconnexion ou transfert d'information ou d'autres signaux entre mémoires, dispositifs d'entrée/sortie ou unités de traitement
38
Transfert d'informations, p.ex. sur un bus
42
Protocole de transfert pour bus, p.ex. liaison; Synchronisation
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
7
Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
10
Dispositions d'interface d'entrée/sortie (E/S, I/O) de données, p.ex. circuits de commande E/S de données, mémoires tampon de données E/S
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
8
Dispositions pour sélectionner une adresse dans une mémoire numérique
18
Circuits de synchronisation ou d'horloge; Génération ou gestion de signaux de commande d'adresse, p.ex. pour des signaux d'échantillonnage d'adresse de ligne (RAS) ou d'échantillonnage d'adresse de colonne (CAS)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
10
Circuits de programmation ou d'entrée de données
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
26
Circuits de détection ou de lecture; Circuits de sortie de données
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC.[US/US]; 8000 South Federal Way Boise, ID 83716, US
Inventeurs : ROOHPARVAR, Frankie, F.; US
Mandataire : SLIFER, Russell, D.; Fogg, Slifer & Polglaze, P.A. P.O. Box 581009 Minneapolis, MN 55458-1009, US
Données relatives à la priorité :
09/569,21811.05.2000US
60/193,50630.03.2000US
Titre (EN) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY WITH NON-VOLATILE MODE REGISTER
(FR) MEMOIRE FLASH SYNCHRONE DOTEE D'UN REGISTRE MODAL REMANENT
Abrégé :
(EN) A synchronous flash memory includes an array of non-volatile memory cells. The memory device has a package configuration that is compatible with an SDRAM. The memory device performs memory access operations using mode data that can be stored in a non-volatile mode register. The mode data can be copied into a volatile mode register. Both the non-volatile and volatile mode register can be edited during operation.
(FR) L'invention concerne une mémoire flash synchrone qui comprend un réseau de cellules à mémoire permanente. Le dispositif à mémoire présente une configuration de boîtier compatible avec un SDRAM. Le dispositif à mémoire exécute des opérations d'accès à la mémoire en utilisant des données modales pouvant être stockées dans un registre modal rémanent. Les données modales peuvent être copiées dans un registre modal non rémanent. Tant le registre modal rémanent que le registre modal non rémanent peuvent être modifés pendant l'exécution.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)