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1. (WO2001075522) REALISATION D'EBAUCHES DE MASQUES EN SILICIUM A EXPANSION ULTRA-FAIBLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/075522    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/008428
Date de publication : 11.10.2001 Date de dépôt international : 16.03.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.10.2001    
CIB :
G03F 1/00 (2012.01), G03F 1/24 (2012.01), G03F 1/60 (2012.01)
Déposants : EUV LIMITED LIABILITY CORPORATION [US/US]; MS SC1-02 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 09052 (US) (Tous Sauf US).
CARDINALE, Gregory, F. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CARDINALE, Gregory, F.; (US)
Mandataire : JEW, Charles, H.; Burns, Doane, Swecker & Mathis, LLP. P.O. Box 1404 Alexandria, VA 22313-1404 (US)
Données relatives à la priorité :
09/540,585 31.03.2000 US
Titre (EN) FABRICATION OF ULTRA-LOW EXPANSION SILICON MASK BLANKS
(FR) REALISATION D'EBAUCHES DE MASQUES EN SILICIUM A EXPANSION ULTRA-FAIBLE
Abrégé : front page image
(EN)A method for fabricating masks for extreme ultraviolet lithography (EUVL) using Ultra-Low Expansion (ULE) substrates and crystalline silicon. ULE substrates are required for the necessary thermal management in EUVL mask blanks, and defect detection and classification have been obtained using crystalline silicon substrate materials. Thus, this method provides the advantages for both the ULE substrate and the crystalline silicon in an Extreme Ultra-Violet (EUV) mask blank. The method is carried out by bonding a crystalline silicon wafer or member to a ULE wafer or substrate and thinning the silicon to produce a 5-10 $g(m)m thick crystalline s ilicon layer on the surface of the ULE substrate. The thinning of the crystalline silicon may be carried out, for example, by chemical mechanical polishing and if necessary or desired, oxidizing the silicon followed by etching to the desired thickness of the silicon.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant la réalisation de masques destinés à la lithographie à ultraviolet extrême (extreme ultraviolet lithography / EUVL) au moyen de substrats à expansion ultra-faible (Ultra-Low Expansion / ULE) et de silicium cristallin. Les substrats ULE sont nécessaires à la gestion de la chaleur, requise dans des ébauches de masques EUVL, et la détection et la classification des défauts s'obtient par utilisation de matériaux à substrat à silicium cristallin. Ainsi, ce procédé présentent les avantages apportés à la fois par le substrat ULE et par le silicium cristallin dans une ébauche de masque à ultraviolet extrême (Extreme Ultra-Violet / EUV). Le procédé est mis en oeuvre par liaison d'une tranche ou d'un élément de silicium cristallin à une tranche ou un substrat ULE, et par amincissement du silicium pour produire une couche de silicium cristallin ayant une épaisseur de 5-10 $g(m)m, sur la surface du substrat ULE. L'amincissement du silicium cristallin peut être réalisé, par exemple, par polissage chimico-mécanique et, si nécessaire ou souhaité, par une oxydation du silicium suivie d'une attaque chimique pour obtenir l'épaisseur désirée du silicium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)