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1. (WO2001075455) ACCELEROMETRE TROIS AXES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/075455    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/010681
Date de publication : 11.10.2001 Date de dépôt international : 03.04.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.10.2001    
CIB :
G01P 15/08 (2006.01), G01P 15/125 (2006.01), G01P 15/18 (2013.01), H01L 29/84 (2006.01)
Déposants : ROSEMOUNT AEROSPACE INC. [US/US]; 14300 Judicial Road, Burnsville, MN 55306 (US) (Tous Sauf US).
YANG, Xiaofeng [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : YANG, Xiaofeng; (US)
Mandataire : ELLEMAN, Steven, J.; Thompson Hine & Flory, LLP, 2000 Courthouse Plaza N.E., 10 West Second Street, Dayton, OH 45402 (US)
Données relatives à la priorité :
09/542,363 04.04.2000 US
Titre (EN) THREE AXIS ACCELEROMETER
(FR) ACCELEROMETRE TROIS AXES
Abrégé : front page image
(EN)A method for forming an accelerometer including the steps of providing a wafer of doped silicon, growing an oxide layer on the wafer, and forming an aperture in the oxide layer. The method further includes the steps of forming a layer of polysilicon on the wafer such that a portion of the polysilicon passes through the aperture and contacts the wafer, and etching the layer of polysilicon to form a beam and a capacitor plate. The wafer is then etched to form a response mass and a support, at least part of the response mass being located below the capacitor plate. Finally, the oxide layer is etched to separate the response mass from the support and from the capacitor plate, the response mass being coupled to the beam by polysilicon received through the aperture.
(FR)L'invention concerne un procédé pour former un accéléromètre selon lequel on fournit une plaquette de silicium dopé, on y fait croître une couche d'oxyde et on ménage une ouverture dans la couche d'oxyde. Le procédé selon l'invention comprend également la formation d'une couche de silicium polycristallin sur la plaquette de façon qu'une partie du silicium polycristallin traverse l'ouverture et entre en contact avec la plaquette, ainsi que la gravure de la couche de silicium polycristallin pour former un faisceau et une plaque de condensateur. La plaquette est ensuite gravée afin de former une masse de réponse et un support, au moins une partie de la masse de réponse étant située sous la plaque de condensateur. Enfin, la couche d'oxyde est gravée afin de séparer la masse de réponse du support et de la plaque de condensateur, la masse de réponse étant couplée au faisceau par du silicium polycristallin reçu à travers l'ouverture.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)