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1. WO2001074708 - PROCEDE DE DEPOT DE SIGE POLYCRISTALLIN ADAPTES AU MICROUSINAGE, ET DISPOSITIFS AINSI OBTENUS

Numéro de publication WO/2001/074708
Date de publication 11.10.2001
N° de la demande internationale PCT/IB2001/000765
Date du dépôt international 05.04.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 27.08.2001
CIB
C23C 16/22 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
22caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
CPC
B81C 1/00365
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
00349Creating layers of material on a substrate
00365having low tensile stress between layers
B81C 2201/0164
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2201Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
01in or on a substrate
0161Controlling physical properties of the material
0163Controlling internal stress of deposited layers
0164by doping the layer
B81C 2201/017
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2201Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
01in or on a substrate
0161Controlling physical properties of the material
0163Controlling internal stress of deposited layers
017Methods for controlling internal stress of deposited layers not provided for in B81C2201/0164 - B81C2201/0169
C23C 16/22
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
22characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
H01L 21/02381
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
02381Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/02532
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02524Group 14 semiconducting materials
02532Silicon, silicon germanium, germanium
Déposants
  • INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM (IMEC) (AllExceptUS)
  • SEDKY, Sherif [EG]/[EG] (UsOnly)
  • WITVROUW, Ann [BE]/[BE] (UsOnly)
  • BAERT, Kris [BE]/[BE] (UsOnly)
  • CAYMAX, Matty [BE]/[BE] (UsOnly)
  • RUSU, Cristina [NL]/[BE] (UsOnly)
Inventeurs
  • SEDKY, Sherif
  • WITVROUW, Ann
  • BAERT, Kris
  • CAYMAX, Matty
  • RUSU, Cristina
Mandataires
  • VAN MALDEREN, Joëlle
Données relatives à la priorité
60/194,83605.04.2000US
60/197,88117.04.2000US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR DEPOSITING POLYCRYSTALLINE SIGE SUITABLE FOR MICROMACHINING AND DEVICES OBTAINED THEREOF
(FR) PROCEDE DE DEPOT DE SIGE POLYCRISTALLIN ADAPTES AU MICROUSINAGE, ET DISPOSITIFS AINSI OBTENUS
Abrégé
(EN)
Method and apparatus of to obtain as-deposited polycrystalline and low-stress SiGe layers. These layers are used in Micro Electro-Mechanical Systems (MEMS) devices or micromachined structures. Different parameters are analysed which effect the stress in a polycrystalline layer. The parameters include, without limitation: deposition temperature; concentration of semiconductors (e.g., the concentration of Silicon and Germanium in a SixGe1-x layer, with x being the concentration parameter); concentration of dopants (e.g., the concentration of Boron or Phosphorous); amount of pressure; and use of plasma. Depending on the particular environment in which the polycrystalline SiGe is grown, different values of parameters are used.
(FR)
L'invention porte sur un procédé et un appareil de dépôts polycristallins tels quels et de couches de SiGe à faibles contraintes. On utilise ces couches dans des dispositifs MEMS (de micro électromécanique) ou dans des structures micro-usinées. On a analysé l'influence de différents paramètres sur les contraintes de la couche polycristalline. Lesdits paramètres comprennent non exclusivement: la température de dépôt; la concentration en semi-conducteurs (par exemple la concentration en silicium et germanium dans une couche de SixGe1-x où x est le paramètre de concentration); la concentration en dopants (par exemple la concentration en bore ou en phosphore); la pression; et l'utilisation de plasma. On peut utiliser différents paramètres en fonction de l'environnement particulier dans lequel le SiGe croît.
Également publié en tant que
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