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1. (WO2001073864) BATTERIE EN COUCHE MINCE AVEC ELECTROLYTE ULTRA-MINCE ET PROCEDE ASSOCIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/073864    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/009436
Date de publication : 04.10.2001 Date de dépôt international : 23.03.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.10.2001    
CIB :
C23C 14/00 (2006.01), C23C 14/06 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), C23C 16/04 (2006.01), H01G 9/00 (2006.01), H01G 9/155 (2006.01), H01L 23/58 (2006.01), H01M 10/36 (2010.01), H01M 10/46 (2006.01), H01M 14/00 (2006.01), H01M 2/10 (2006.01), H01M 6/18 (2006.01), H04M 1/02 (2006.01), A61N 1/372 (2006.01), G02F 1/133 (2006.01), H01M 10/04 (2006.01), H01M 10/42 (2006.01), H01M 10/44 (2006.01), H01M 2/02 (2006.01), H01M 2/20 (2006.01), H01M 4/52 (2010.01), H01M 6/40 (2006.01), H01M 6/42 (2006.01), H05K 1/16 (2006.01)
Déposants : CYMBET CORPORATION [US/US]; 18326 Joplin St. NW Elk River, MN 55330 (US) (Tous Sauf US).
JENSON, Mark, Lynn [US/US]; (US) (US Seulement).
WEISS, Victor, Henry [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : JENSON, Mark, Lynn; (US).
WEISS, Victor, Henry; (US)
Mandataire : VIKSNINS, Ann, S.; Schwegman, Lundberg, Woessner & Kluth P.O. Box 2938 Minneapolis, MN 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
60/191,774 24.03.2000 US
60/225,134 14.08.2000 US
60/238,673 06.10.2000 US
Titre (EN) THIN-FILM BATTERY HAVING ULTRA-THIN ELECTROLYTE AND ASSOCIATED METHOD
(FR) BATTERIE EN COUCHE MINCE AVEC ELECTROLYTE ULTRA-MINCE ET PROCEDE ASSOCIE
Abrégé : front page image
(EN)A method and system for fabricating solid-state energy-storage devices including fabrication films for devices without an anneal step. A film of an energy-storage device is fabricated by depositing a first material layer to a location on a substrate. Energy is supplied directly to the material forming the film. The energy can be in the form of energized ions of a second material. Supplying energy directly to the material and/or the film being deposited assists in controlling the growth and stoichiometry of the film. The method allows for the fabrication of ultrathin films such as electrolyte films and dielectric films.
(FR)L'invention concerne un procédé et un système de fabrication de dispositifs d'accumulation d'énergie solides, ledit procédé consistant à fabriquer des couches pour de tels dispositifs sans étape de recuit. Une couche d'un dispositif d'accumulation d'énergie est fabriquée par dépôt d'une première couche de matériau sur un substrat. L'énergie est directement alimentée au matériau formant la couche. Cette énergie peut se présenter sous la forme d'ions excités d'un deuxième matériau. L'alimentation directe d'énergie au matériau et/ou à la couche devant être déposée permet de commander la croissance et la stoechiométrie de la couche. Ledit procédé permet de fabriquer des couches ultra-minces telles que des couches électrolytiques et des couches diélectriques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)