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1. WO2001073862 - POLYMERES SEMI-CONDUCTEURS, PROCEDE PERMETTANT DE LES PRODUIRE ET COMPOSANT OPTOELECTRONIQUE

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[ DE ]

Patentansprüche

1. Germaniumschichtpolymer,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
die Germaniumatome Ebenenstrukturen ausbilden und diese Ebenen übereinander geschichtet sind.

2. Schichtpolymer nach Anspruch 1,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
seine Summenformel (GeH)n ist.

3. Schichtpolymer nach Anspruch 1,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
mindestens an einem Teil der Germaniumatome einwertige Gruppen gebunden sind.

4. Silizium-Germanium-Schichtpolymer,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
Silizium- und Germaniumatome gemischte Ebenenstrukturen ausbilden und diese Ebenen übereinander geschichtet sind.

5. Schichtpolymer nach Anspruch 4,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
mindestens an einem Teil der Silizium- und/oder Ger-maniumatome einwertige Gruppen gebunden sind.

6. Schichtpolymer nach Anspruch 3 oder 5,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
die einwertigen Gruppen Halogenatome, OH-Gruppen, NH2-Gruppen, CH3-Gruppen oder Alkane sind.

7. Schichtpolymer nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
daß die Ebenenstrukturen einen Abstand zwischen 5 Ä und 60 Ä aufweisen.

8. Schichtpolymer nach einem der Ansprüche 1 bis 7, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
daß die Ebenenstrukturen durch Zwischenebenen voneinander getrennt sind.

9. Schichtpolymer nach Anspruch 8,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
die Zwischenebenen (Ca (OH) 2) n-Ebenen sind.

10. Schichtpolymer nach einem der Ansprüche 1 bis 9, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
es eine kristalline Struktur bildet.

11. Schichtpolymer nach einem der Ansprüche 1 bis 10, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
es eine Lumineszenz mit einem Intensitatsmaximum bei einer Wellenlange zwischen 400 nm und 1600 nm aufweist.

12. Schichtpolymer,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
es eine Abfolge einzelner Lagen von Schichtpolymeren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11 enthalt.

13. Verfahren zur Herstellung eines Schichtpolymers nach einem der Ansprüche 1 bis 12,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
das Schichtpolymer mittels topochemischer Umwandlung von Ca (Siι_xGex) 2, 0<x≤l hergestellt wird.

14. Verfahren nach Anspruch 13,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß eine epitaktische Ca (Siι-xGex) 2~Schιcht , 0<x≤l auf einem Substrat aus kristallinem Germanium oder Siliziumgermanium zur Herstellung des Schichtpolymers verwendet wird.

15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die epitaktische Ca (Siι_xGex) 2-Sch cht , 0<x≤l durch Deposition von Ca auf ein Siι-xGex-Substrat , 0<x≤l mit nachfolgender Temperung, durch Deposition von Ca auf em geheiztes Siι-xGex-Substrat, 0<x≤l, durch Codeposition von Ca, Ge und Si auf em Substrat, vorzugsweise em Germanium- oder em Siχ_xGex-Substrat, 0<x≤l, mit nachfolgender Temperung oder durch Codeposition von Ca, Ge und Si auf ein geheiztes Substrat, vorzugsweise em Germanium- oder
Siι-xGex-Substrat, 0<x≤l, hergestellt wird.

16. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
die topochemische Umwandlung mit einer HCl oder H20
enthaltenden Flüssigkeit durchgeführt wird.

17. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
die topochemische Umwandlung in Luft mit einer relativen Luftfeuchtigkeit von 10 bis 100% durchgeführt wird.

18. Optoelektronisches Bauelement,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
das Bauelement em Halbleiteratome enthaltendes
Schichtpolymer (10) aufweist, bei dem die Halbleiteratome in Ebenenstrukturen angeordnet und die Ebenenstrukturen
übereinander geschichtet sind.

19. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 18,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
das Schichtpolymer (10) lummesziert .

20. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 18 oder 19, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
es e Schichtpolymer (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 12 aufweist.

21. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 18

d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
das Schichtpolymer (10) nach einem oder mehreren der
Ansprüche 13 bis 17 auf einem kristallinem Substrat (12) hergestellt ist.

22. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 21,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
das kristalline Substrat (12) em Germaniumsubstrat oder em Siliziumgermamumsubstrat ist.

23. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 21 oder 22, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
em Substrat (12) mit einer derartigen Orientierung verwendet wird, daß die Struktur des Schichtpolymers (10) nicht
parallel zur Oberflache des Substrats orientiert ist.

24. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 21 bis 23,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
das Substrat (12) eine (110) -Oberflache aufweist.

25. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 21 bis 24,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
e dotiertes Substrat (12) vorgesehen ist.

26. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Anspr che 21 bis 25,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
auf dem Schichtpolymer (10) em elektrischer Kontakt (16) angeordnet ist.

27. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 26,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der elektrische Kontakt (16) aus einem Metall oder einem elektrisch leitfahigen leitfahigen Ox d besteht.

28. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 26 oder 27, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
der Kontakt (16) lichtdurchlässig ist.

29. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 26 bis 28,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
der Kontakt (16) Sr, Ca, Mg, AI, Zn, In, ZnO, InO oder InZnO enthalt .

30. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 18 bis 29,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
das Schichtpolymer (10) ganz oder raumlich selektiv dotiert

31. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 30,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
die Dotierung durch mterkalierte Alkali- oder Erdalkaliatome geschieht .

32. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Ansprüche 18 bis 31,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
es eine Leuchtdiode oder Laserdiode ist.

33. Optoelektronisches Bauelement nach einem der Anspr che 18

d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
es zum Nachweis optischer Strahlung dient.

34. Integrierter Schaltkreis,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß er ein ein Halbleiteratome enthaltendes Schichtpolymer aufweist, bei dem die Halbleiteratome in Ebenenstrukturen angeordnet und die Ebenenstrukturen übereinander geschichtet sind.

35. Integrierter Schaltkreis nach Anspruch 34,
d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß
er ein Schichtpolymer nach einem der Ansprüche 1 bis 11 oder ein Bauelement nach einem der Ansprüche 18 bis 33 enthält.