Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2001073862 - POLYMERES SEMI-CONDUCTEURS, PROCEDE PERMETTANT DE LES PRODUIRE ET COMPOSANT OPTOELECTRONIQUE

Numéro de publication WO/2001/073862
Date de publication 04.10.2001
N° de la demande internationale PCT/DE2001/001140
Date du dépôt international 26.03.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 24.10.2001
CIB
C01G 17/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
01CHIMIE INORGANIQUE
GCOMPOSÉS CONTENANT DES MÉTAUX NON COUVERTS PAR LES SOUS-CLASSES C01D OU C01F104
17Composés du germanium
H01L 51/30 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
05spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
30Emploi de matériaux spécifiés
H01L 33/00 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
H01L 51/00 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
CPC
H01L 33/0054
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
005Processes
0054for devices with an active region comprising only group IV elements
H01L 33/26
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
26Materials of the light emitting region
H01L 51/0032
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
H01L 51/0094
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0094Silicon-containing organic semiconductors
Déposants
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • VOGG, Günther [DE]/[DE] (UsOnly)
  • BRANDT, Martin [DE]/[DE] (UsOnly)
  • STUTZMANN, Martin [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • VOGG, Günther
  • BRANDT, Martin
  • STUTZMANN, Martin
Mandataires
  • EPPING HERMANN & FISCHER
Données relatives à la priorité
100 14 287.726.03.2000DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) HALBLEITERPOLYMERE, VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
(EN) SEMICONDUCTOR POLYMERS, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF AND AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) POLYMERES SEMI-CONDUCTEURS, PROCEDE PERMETTANT DE LES PRODUIRE ET COMPOSANT OPTOELECTRONIQUE
Abrégé
(DE)
Durch topochemische Umwandlung von Kalziumdigermanid werden schichtförmige Germaniumpolymere hergestellt, die halbleitend sind und eine starke rote bzw. infrarote Lumineszenz zeigen. Weitergehend können so auch Silizium-Germanium-Schichtpolymere erzeugt werden. Diese Schichtpolymere lassen sich epitaktisch auf Substraten aus kristallinem Germanium herstellen und zur Realisierung von lichtemittierenden optoelektronischen Bauelementen wie Leuchtdioden oder Lasern verwenden.
(EN)
According to the invention, lamellar germanium polymers are produced by the topochemical conversion of calcium digermanide, are semiconducting and exhibit a strong red or infrared luminescence. In addition, silicon germanium laminate polymers can also be produced in this manner. These laminate polymers can be epitactically produced on substrates comprised of crystalline germanium and are used for producing light-emitting optoelectronic components such as light-emitting diodes or lasers.
(FR)
L'invention concerne des polymères de germanium lamellaires produits par réaction topochimique de germanure de calcium, qui sont semi-conducteurs et présentent une forte luminescence rouge et infrarouge. Des polymères lamellaires de silicium-germanium peuvent ainsi être produits dans une large mesure. Ces polymères lamellaires peuvent être produits par épitaxie sur des substrats en germanium cristallin et s'utilisent pour produire des composants optoélectroniques luminescents tels que des diodes luminescentes ou des lasers.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international