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1. (WO2001073845) CIRCUIT INTEGRE A ELEMENT DE MEMOIRE PROGRAMMABLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/073845    N° de la demande internationale :    PCT/EP2001/002913
Date de publication : 04.10.2001 Date de dépôt international : 15.03.2001
CIB :
G11C 13/02 (2006.01), H01L 23/525 (2006.01), H01L 27/28 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventeurs : DE LEEUW, Dagobert, M.; (NL).
HART, Cornelis, M.; (NL).
GELINCK, Gerwin, H.; (NL)
Mandataire : DUIJVESTIJN, Adrianus, J.; Internationaal Octrooibureau B.v. Prof Holstlaan 6 NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
00201113.8 28.03.2000 EP
Titre (EN) INTEGRATED CIRCUIT WITH PROGRAMMABLE MEMORY ELEMENT
(FR) CIRCUIT INTEGRE A ELEMENT DE MEMOIRE PROGRAMMABLE
Abrégé : front page image
(EN)The integrated circuit (10) has a substrate and a memory with a first memory unit (30) containing organic material. The first memory unit (30) has a first (26) and a second electrode (28), which are in the non-programmed state electrically connected by an interconnection (27). On programming, the interconnection (27) is at least partially broken in that it is locally heated. This heating can be effected electrically and optically. By preference the first memory unit (30) is integrated in a first layer (6) of organic material, which also has a first electrode (25) of the integrated circuit (10). The integrated circuit (10) can be used in a transponder which is electrically programmable. In the method of programming, the local heating is effected electrically, by applying a voltage across the first memory unit (30).
(FR)L'invention concerne un circuit intégré (10) qui comporte un substrat et une mémoire associée à une première unité de mémoire (30) contenant une matière organique. Cette première unité (30) comporte une première (26) et une seconde électrode (28) dans un état non programmé et électriquement connectées par une interconnexion (27). Lors de la programmation, l'interconnexion (27) est au moins partiellement rompue, celle-ci 66étant chauffée localement. Ce réchauffement peut être effectué électriquement et optiquement. La première unité de mémoire (30) est intégrée dans une première couche (6) de matière organique qui comporte également une première électrode (25) du circuit intégré (10). Ce dernier peut être utilisé dans un transpondeur électriquement programmable. Selon le procédé de programmation, le réchauffement local est effectué électriquement, par application d'une tension à la première unité de mémoire (30).
États désignés : CN, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)