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PATENTSCOPE

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1. (WO2001073835) PROCEDE PERMETTANT DE DEPOSER UNE COUCHE DIELECTRIQUE ET DISPOSITIF CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2001/073835 N° de la demande internationale : PCT/EP2001/002872
Date de publication : 04.10.2001 Date de dépôt international : 14.03.2001
CIB :
C23C 16/04 (2006.01) ,H01L 21/3105 (2006.01) ,H01L 21/311 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01)
Déposants : JOHN, Peggy[DE/DE]; DE (UsOnly)
MAUTZ, Karl[US/US]; US (UsOnly)
SHAHVANDI, Iraj[US/DE]; DE (UsOnly)
VATEL, Oliver[FR/US]; US (UsOnly)
INFINEON TECHNOLOGIES AG[DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53 81669 München, DE (AllExceptUS)
SEMICONDUCTOR300 GMBH & CO. KG[DE/DE]; Königsbrücker Strasse 150 01076 Dresden, DE (AllExceptUS)
MOTOROLA INC.[US/US]; 1303 East Algonquin Road Schaumburg, IL 60196, US (AllExceptUS)
Inventeurs : JOHN, Peggy; DE
MAUTZ, Karl; US
SHAHVANDI, Iraj; DE
VATEL, Oliver; US
Mandataire : EPPING HERMANN & FISCHER GBR; Postfach 12 10 26 80034 München, DE
Données relatives à la priorité :
00106566.327.03.2000EP
Titre (EN) METHOD AND ARRANGEMENT FOR DEPOSITING A DIELECTRIC LAYER
(FR) PROCEDE PERMETTANT DE DEPOSER UNE COUCHE DIELECTRIQUE ET DISPOSITIF CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(EN) The present invention relates to a method and an arrangement for depositing a dielectric layer (3) with a high density plasma process which also planarises the surface (8) of the substrate (1). Therefore the deposition of the dielectric layer (3) is divided into three time periods. During the first time period a gap (2) in the substrate (1) is filled with a low etch to deposition ratio, during the second time period a planarisation takes place while using a high etch to deposition ratio and during the third time period the thickness of the dielectric layer (3) is increased while using a low etch to deposition ratio.
(FR) Cette invention a trait à un procédé, ainsi qu'au dispositif correspondant, permettant de déposer une couche diélectrique (3), grâce à un processus faisant intervenir un plasma à haute densité, lequel processus permet également d'obtenir une planarisation de la surface (8) du substrat (1). Le dépôt de la couche diélectrique (3) se fait en trois temps. On remplit, dans un premier temps, un espace (2) ménagé dans le substrat (1) avec une composition présentant un faible rapport attaque/dépôt, dans un deuxième temps, on procède à la planarisation en utilisant une composition à rapport attaque/dépôt élevé et l'on épaissit la couche diélectrique (3), dans un troisième temps, en utilisant une composition présentant un faible rapport attaque/dépôt.
États désignés : JP, KR, US
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)