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1. (WO2001073834) PROCEDE D'ATTAQUE DE POLYMERES DE PAROIS LATERALES ET D'AUTRES RESIDUS PRESENTS A LA SURFACE DE DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/073834    N° de la demande internationale :    PCT/US2001/009119
Date de publication : 04.10.2001 Date de dépôt international : 21.03.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    24.10.2001    
CIB :
C01B 5/00 (2006.01), G03F 7/40 (2006.01), G03F 7/42 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01)
Déposants : MATRIX INTEGRATED SYSTEMS, INC. [US/US]; 4050 Lakeside Drive Richmond, CA 94806 (US)
Inventeurs : COX, Gerald, M.; (US).
DONOGHUE, Kevon, J.; (US).
VAN BAEREL, Kristel; (US).
LEE, Chan-Yun; (US)
Mandataire : SMITH, Gregory, Scott; Law Office of Gregory Scott Smith 3900 Newpark Mall Road Suite 317 Newark, CA 94560 (US)
Données relatives à la priorité :
09/534,657 24.03.2000 US
Titre (EN) METHOD FOR ETCHING SIDEWALL POLYMER AND OTHER RESIDUES FROM THE SURFACE OF SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) PROCEDE D'ATTAQUE DE POLYMERES DE PAROIS LATERALES ET D'AUTRES RESIDUS PRESENTS A LA SURFACE DE DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A method for removing organic and inorganic residues or polymers from the surface of semiconductor devices, with a combination of etchant gasses including water vapor generated using a catalytic moisture generator (CMG). The water vapor is generated by introducing O2 and an H2 containing forming gas including hydrogen and at least one dilutant gas into the CMG. The water vapor from the CMG is introduced into a reaction chamber with other etchant gasses to treat the surface of a semiconductor device placed within. The flow rate of water vapor out of the CMG and into the reaction chamber may be controlled by controlling the flow rate of the H2 containing forming gas and the flow rate of the O2 gas into the CMG.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant d'éliminer les résidus ou polymères organiques et inorganiques, présents à la surface de dispositifs semiconducteurs, à l'aide d'une combinaison de gaz d'attaque contenant de la vapeur d'eau générée par un générateur catalytique d'humidité (CMG). On génère cette vapeur d'eau en introduisant dans le CMG de l'oxygène et un mélange hydrogène-azote composé d'hydrogène et d'au moins un gaz diluant. On introduit la vapeur d'eau générée par le CMG dans une chambre de réaction avec d'autres gaz d'attaque afin de traiter la surface d'un dispositif semi-conducteur placé à l'intérieur. On peut réguler le débit de vapeur d'eau issue du CMG et introduite dans ladite chambre de réaction en modulant le débit du mélange hydrogène-azote et celui du gaz oxygène contenu dans le CMG.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)