Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2001073815 - DISPOSITIF D'EXPOSITION UNIFORME DES PARTICULES CHARGEES ET PROCEDE UTILISANT UNE ETAPE DE TRANSLATION ET LA CHAMBRE D'IONISATION DE FARADAY

Numéro de publication WO/2001/073815
Date de publication 04.10.2001
N° de la demande internationale PCT/US2001/009712
Date du dépôt international 27.03.2001
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 26.10.2001
CIB
H01J 37/317 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
30Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets
317pour modifier les propriétés des objets ou pour leur appliquer des revêtements en couche mince, p.ex. implantation d'ions
CPC
H01J 2237/20228
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
20Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
202Movement
20221Translation
20228Mechanical X-Y scanning
H01J 2237/31703
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
2237Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
30Electron or ion beam tubes for processing objects
317Processing objects on a microscale
31701Ion implantation
31703Dosimetry
H01J 37/3171
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
317for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
3171for ion implantation
Déposants
  • PROTEROS, LLC [US]/[US]
Inventeurs
  • BERRIAN, Donald, W.
Mandataires
  • KNOPS, Peter, C.
Données relatives à la priorité
09/768,40924.01.2001US
60/192,26827.03.2000US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) UNIFORM CHARGED PARTICLE EXPOSURE DEVICE AND METHOD USING TRANSLATABLE STAGE AND FARADAY CUP
(FR) DISPOSITIF D'EXPOSITION UNIFORME DES PARTICULES CHARGEES ET PROCEDE UTILISANT UNE ETAPE DE TRANSLATION ET LA CHAMBRE D'IONISATION DE FARADAY
Abrégé
(EN)
A method is provided for uniformly implanting a wafer with an ion beam. The wafer (20) is generally of the type with a surface area in the form of a disk with a diameter and center. The ion beam (14) is first formed as an elongated shape incident on the wafer, the shape having a length along a first axis smaller than the diameter, and a width shorter than the length along a second axis. Next, the wafer is translated at a variable translational velocity in a direction substantially parallel with the second axis. The wafer is also rotated substantially about the center (22) at a rotational velocity. The wafer is preferably translated such that the ion beam implants the wafer from one side of the wafer, across the surface area of the wafer, and through another side of the wafer, in a selected velocity versus position profile. The wafer is also tilted while rotating such that the ion beam implants the surface area at a substantially constant angle relative to a crystal axis of the wafer. The wafer can also be translated in a direction substantially parallel to the ion beam such that the ion beam implants the surface area with a substantially constant spot size. The methods of the invention also include determining beam current density of the ion beam, and adjusting the variable translational velocity, and rotational velocity, as a function of the current density.
(FR)
L'invention concerne un procédé d'implantation uniforme d'une plaquette au moyen d'un faisceau ionique. La plaquette (20) est généralement de type à zone de surface en forme de disque avec un diamètre et un centre. Le faisceau ionique (14) est tout d'abord de forme oblongue incidente sur la plaquette, cette forme ayant une longueur inférieure au diamètre le long d'un premier axe, et une largeur inférieure à la longueur le long d'un second axe. Ensuite, la plaquette est translatée à une vitesse de translation variable dans un sens sensiblement parallèle au second axe. La plaquette est également mise en rotation autour du centre (22) à une vitesse de rotation. Cette plaquette est de préférence translatée de manière que le faisceau ionique implante la plaquette à partir d'un des côtés de la plaquette, sur la zone de surface de la plaquette, et à travers un autre côté de la plaquette, dans un profil de position en rapport avec la vitesse sélectionnée. La plaquette est également inclinée lors de la rotation de manière que le faisceau ionique implante la zone de surface avec un angle sensiblement constant par rapport à l'axe de cristal de la plaquette. Elle peut également être translatée dans un sens sensiblement parallèle au faisceau ionique de manière que le faisceau ionique implante la zone de surface avec une taille de point sensiblement constante. Les procédés de l'invention concerne également la détermination d'une densité de courant de faisceau du faisceau ionique, et l'ajustement de la vitesse de translation variable, ainsi que de la vitesse de rotation, comme fonction de la densité de courant.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international