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1. (WO2001073161) PROCEDE DE PRODUCTION DE CERAMIQUE ET APPAREIL POUR SA PRODUCTION, DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF PIEZO-ELECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/073161    N° de la demande internationale :    PCT/JP2001/002631
Date de publication : 04.10.2001 Date de dépôt international : 29.03.2001
CIB :
C23C 14/08 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/48 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 27/10 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01), H01L 41/09 (2006.01), H01L 41/18 (2006.01), H01L 41/316 (2013.01), H01L 41/317 (2013.01), H01L 41/331 (2013.01), H01L 41/39 (2013.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/314 (2006.01)
Déposants : SEIKO EPSON CORPORATION [JP/JP]; 4-1, Nishi-shinjuku 2-chome Shinjuku-ku, Tokyo 163-0811 (JP)
Inventeurs : NATORI, Eiji; (JP)
Mandataire : INOUE, Hajime; 2nd Floor, Ogikubo TM Bldg. 26-13, Ogikubo 5-chome Suginami-ku, Tokyo 167-0051 (JP)
Données relatives à la priorité :
2000-91603 29.03.2000 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING CERAMIC AND APPARATUS FOR PRODUCING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PIEZOELECTRIC DEVICE
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE CERAMIQUE ET APPAREIL POUR SA PRODUCTION, DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF PIEZO-ELECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method for producing a ceramic comprises a step of forming a ceramic film while supplying an active species (100A) of a material which is a component of a raw material of the ceramic and an electromagnetic wave (200A) to a predetermined region. A film of a material which is a component of the ceramic may be formed on a predetermined region. Further the method comprises a step of forming a second ceramic film of a crystal structure different from that of a first ceramic film (20a), while supplying an active species (100A) and an electromagnetic wave (200A) to the first ceramic film (20a).
(FR)Un procédé de production d'une céramique comprend une étape de formation d'une couche mince en céramique tout en fournissant un type actif (100A) d'un matériau lequel est un constituant d'une matière première de la céramique et une onde électromagnétique (200A) sur une région prédéterminée. Une couche mince d'un matériau lequel est un constituant de la céramique peut être formée sur une région prédéterminée. De plus, le procédé comprend une étape de formation d'une seconde couche mince en céramique d'une structure de cristaux différente de celle d'une première couche mince en céramique (20a) tout en fournissant un type actif (100A) et une onde électromagnétique (200A) à la première couche mince en céramique (20a).
États désignés : CN, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)