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1. (WO2001022500) RECRISTALLISATION DE MATERIAU SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/022500    N° de la demande internationale :    PCT/AU2000/001112
Date de publication : 29.03.2001 Date de dépôt international : 15.09.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    03.04.2001    
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : PACIFIC SOLAR PTY. LIMITED [AU/AU]; 82-86 Bay Street, Botany, NSW 2019 (AU) (Tous Sauf US).
SHI, Zhenegrong [AU/AU]; (AU) (US Seulement)
Inventeurs : SHI, Zhenegrong; (AU)
Mandataire : F.B.RICE & CO.; 605 Darling Street, Balmain, NSW 2041 (AU)
Données relatives à la priorité :
PQ 2930 17.09.1999 AU
Titre (EN) RECRYSTALLISATION OF SEMICONDUCTOR MATERIAL
(FR) RECRISTALLISATION DE MATERIAU SEMICONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)The invention provides a method of obtaining high levels of light trapping in a silicon film deposited on commercial glass. The method uses a transient optical heating process by which a thin silicon layer is melted and solidified over a controlled period of time without significantly heating the underlying glass. By controlling the duration of the melting of the silicon layer, the surface melting of the glass can be restricted to a manageable level whereby surface features in the substrate are not significantly affected. Transient optical annealing of silicon on glass has been realised using a range of light sources such as UV and visible lasers, flash lamps and continuous arc lamps.
(FR)L'invention concerne un procédé permettant d'atteindre des niveaux élevés de piégeage de la lumière dans un film au silicium déposé sur du verre commercial. Le procédé consiste à utiliser un processus d'échauffement optique transitoire qui entraîne la fusion et la solidification d'une fine couche de silicium sur une durée contrôlée, sans échauffement significatif de la couche de verre sous-jacente. En contrôlant la durée de la fusion de la couche de silicium, on peut limiter la fusion de surface du verre, jusqu'à un niveau lui-même contrôlable, moyennant quoi les caractéristiques de surface du substrat ne sont pas affectées de manière significative. Par ailleurs, on a réalisé un recuit optique transitoire de silicium sur du verre, en utilisant une gamme de sources lumineuses du type UV, laser visible, lampe à éclair et lampe à arc en continu.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)