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1. (WO2001022499) OXYDES TRANSPARENTS ET CONDUCTEURS CONTENANT DE LA ZIRCONE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/022499    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/021655
Date de publication : 29.03.2001 Date de dépôt international : 09.08.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.08.2000    
CIB :
H01L 29/221 (2006.01)
Déposants : THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA, as represented by THE SECRETARY OF THE NAVY [US/US]; Naval Research Laboratory Code 1008.2 4555 Overlook Avenue, S.W. Washington, DC 20375-5325, 4555 Overlook Avenue, S.W. Washington, DC 20375-5325 (US)
Inventeurs : QADRI, Sayed, B.; (US).
SKELTON, Earl, F.; (US).
PIQUE, Alberto; (US).
HORWITZ, James, S.; (US).
CHRISEY, Douglas, B.; (US).
KIM, Huengsoo; (US)
Mandataire : EDELBERG, Barry, A.; Associate Counsel (Intellectual Property), Code 1008.2, 4555 Overlook Avenue, S.W., Washington, DC 20375-5325 (US)
Données relatives à la priorité :
09/404,722 23.09.1999 US
Titre (EN) ZIRCONIA-CONTAINING TRANSPARENT AND CONDUCTING OXIDES
(FR) OXYDES TRANSPARENTS ET CONDUCTEURS CONTENANT DE LA ZIRCONE
Abrégé : front page image
(EN)This invention pertains to a device of a substrate and a ZrO¿2?-based semiconductor disposed thereon and a method for depositing the semiconductor on the substrate. The semiconductor is typically in the form of a film of 1-20 weight % ZrO¿2? and 99-80 weight % In¿2?O¿3? or SnO¿2?. The semiconductor is tunable in terms of optical transmission and electrical conductivity. Its transmission is in excess of about 80 % over the wavelength range of 400-900 nm and its resistivity is from about 1.3 x 10?-3¿ $g(V)-cm to about 6.5 x 10?-2¿ $g(V)-cm. The deposition method is characterized by depositing in a chamber the semiconductor on a substrate by means of a physical vapor deposition whole maintaining a small oxygen pressure in the chamber.
(FR)Cette invention se rapporte à un dispositif de substrat et à un semi-conducteur à base de ZrO¿2? disposé sur ledit substrat ainsi qu'à un procédé de dépôt du semi-conducteur sur le substrat. Ledit semi-conducteur se présente typiquement sous la forme d'un film composé de 1 à 20 % en poids de ZrO¿2? et de 99 à 80 % en poids de In¿2?O¿3? ou de SnO¿2?. Ce semi-conducteur est sélectif en termes de transmission optique et de conductivité électrique. Sa transmission est excédentaire d'environ 80 % dans la plage de longueur d'ondes comprise entre 400 et 900 nm et sa résistivité est comprise entre 1,3 x 10?-3¿ $g(V)-cm environ et 6,5 x 10?-2¿ $g(V)-cm environ. Ce procédé de dépôt se caractérise en ce que le semi-conducteur est déposé dans une chambre, sur un substrat, au moyen d'un procédé de dépôt physique en phase vapeur mis en oeuvre alors qu'une faible pression en oxygène est maintenue dans la chambre.
États désignés : CA, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)