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1. (WO2001022495) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR PHOTOEMETTEUR A HAUTE RESISTANCE ESD ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/022495    N° de la demande internationale :    PCT/DE2000/003266
Date de publication : 29.03.2001 Date de dépôt international : 20.09.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    22.02.2001    
CIB :
H01L 27/15 (2006.01), H01S 5/026 (2006.01), H01S 5/042 (2006.01), H01S 5/183 (2006.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH & CO. OHG [DE/DE]; Wernerwerkstrasse 2, 93049 Regensburg (DE) (Tous Sauf US).
WIPIEJEWSKI, Torsten [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HUBER, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : WIPIEJEWSKI, Torsten; (DE).
HUBER, Wolfgang; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN & FISCHER GBR; Postfach 12 10 26, 80034 München (DE)
Données relatives à la priorité :
199 45 134.6 21.09.1999 DE
Titre (DE) LICHTEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT HOHER ESD-FESTIGKEIT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
(EN) LIGHT EMITTING SEMI-CONDUCTING COMPONENT WITH HIGH ESD RIGIDITY AND METHOD FOR PRODUCTION OF SAID COMPONENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR PHOTOEMETTEUR A HAUTE RESISTANCE ESD ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(DE)Bei einem lichtemittierenden Halbleiterbauelement ist einem lichtemittierendem Abschitt (10), insbesondere einer VCSEL-Halbleiterlaserdiode, ein Schutzdiodenabschnitt (20) parallelgeschaltet. Die Schutzdiode (3b, 71) ist eine Reihenschaltung eines Schottky-Kontakts (71) und eines Teils (3b) des pn-Übergangs (3). Bei hoher ESD-Spannung-Belastung schaltet die Schutzdiode (3b, 71) durch, so dass ein Grossteil des elektrischen Stromes über die Schutzdiode (3b, 71) fliesst und somit die Laserdiode geschützt ist.
(EN)The invention relates to a light-emitting semi-conducting component of a light-emitting segment (10), especially a VCSEL-semi-conducting laser diode and a protective diode segment (20) connected in parallel. Said protective diode (3b, 71) is a series circuit of a Schottky-contact (71) and a part of a (3b) pn-junction (3). At larger ESD-voltage loads, the protective diode (3b, 71) is triggered, so that a majority of said electrical current flows through said protective diode (3b, 71) and said laser diode is thereby protected.
(FR)Composant semi-conducteur photoémetteur dans lequel une section à diode de protection (20) est montée en parallèle avec une section photoémettrice (10), en particulier avec une diode laser à semi-conducteur VCSEL. La diode de protection (3b, 71) est un circuit série d'un contact Schottky (71) et d'une partie (3b) de la jonction PN (3). Pour une charge de tension ESD élevée, la diode de protection (3b, 71) est connectée de telle façon que la plus grande partie du courant électrique s'écoule par la diode de protection (3b, 71), permettant ainsi de protéger la diode laser.
États désignés : US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)