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1. (WO2001022485) TECHNIQUE ET SYSTEME DE COMMANDE INTERVENANT DANS LA FORMATION DE FILMS MINCES SUR DES MATERIAUX A BASE DE SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/022485    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/025879
Date de publication : 29.03.2001 Date de dépôt international : 21.09.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.04.2001    
CIB :
H01L 21/66 (2006.01)
Déposants : UT-BATTELLE, LLC [US/US]; P.O. Box 2008, Oak Ridge, TN 37831-6498 (US)
Inventeurs : MCKEE, Rodney, A.; (US).
WALKER, Frederick, J.; (US)
Mandataire : MCKEE, Michael, E.; 804 Swaps Lane, Knoxville, TN 37923 (US)
Données relatives à la priorité :
09/404,512 23.09.1999 US
Titre (EN) CONTROL METHOD AND SYSTEM FOR USE WHEN GROWING THIN-FILMS ON SEMICONDUCTOR-BASED MATERIALS
(FR) TECHNIQUE ET SYSTEME DE COMMANDE INTERVENANT DANS LA FORMATION DE FILMS MINCES SUR DES MATERIAUX A BASE DE SEMI-CONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A process and system (22) for use during the growth of a thin film upon the surface of a substrate (28) by exposing the substrate surface (32) to vaporized material in a high vacuum (HV) facility (24) involves the directing of an electron beam generally toward the surface of the substrate as the substrate is exposed to vaporized material so that electrons are diffracted from the substrate surface by the beam and the monitoring of the pattern of electrons diffracted from the substrate surface as vaporized material settles upon the substrate surface. When the monitored pattern achieves a condition indicative of the desired condition of the thin film being grown upon the substrate, the exposure of the substrate to the vaporized materials is shut off or otherwise adjusted. To facilitate the adjustment of the crystallographic orientation of the film relative to the electron beam, the system includes a mechanism (50) for altering the orientation of the surface of the substrate relative to the electron beam.
(FR)Cette invention concerne une technique et un système (22) qui s'utilisent pendant la formation, sur la surface d'un substrat (28), d'un film mince par exposition de ladite surface (32) à un matériau vaporisé dans une installation à ultra-vide (24). Le procédé consiste à diriger un faisceau d'électrons sur la surface du substrat pendant que ce dernier est exposé à un matériau vaporisé de telle sorte que les électrons soient diffractés de la surface du substrat par le faisceau, et à observer le motif des électrons diffractés à partir de la surface du substrat au fur et à mesure que le matériau vaporisé se dépose sur la surface du substrat. Lorsque le motif sous surveillance indique qu'un état satisfaisant du film en formation sur le substrat a été atteint, on arrête ou l'on ajuste l'exposition du substrat au matériau vaporisé. Le système comprend un mécanisme (50) qui permet de modifier l'orientation de la surface du substrat par rapport au faisceau d'électrons et donc l'orientation cristallographique du film par rapport audit faisceau d'électrons.
États désignés : AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, GM, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)