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1. (WO2001022482) PROCEDE DE PRODUCTION DE COUCHES DE SILICIUM-GERMANIUM DECONTRACTEES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/022482    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/040938
Date de publication : 29.03.2001 Date de dépôt international : 19.09.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.04.2001    
CIB :
C30B 25/02 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : AMBERWAVE SYSTEMS CORPORATION [US/US]; 13 Garabedian Drive, Salem, NH 03079 (US)
Inventeurs : FITZGERALD, Eugene, A.; (US)
Mandataire : CONNORS, Matthew E.; Samuels, Gauthier & Stevens LLP, 225 Franklin Street, Suite 3300, Boston, MA 02110 (US).
HAMMOND Andrew; Göteborgs Patentbyra Dahls, Sjöporten 4, S-417 64 Göteborg, Sweden (SE)
Données relatives à la priorité :
60/154,851 20.09.1999 US
Titre (EN) METHOD OF PRODUCING RELAXED SILICON GERMANIUM LAYERS
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE COUCHES DE SILICIUM-GERMANIUM DECONTRACTEES
Abrégé : front page image
(EN)A method for making a semiconductor material, and subsequent structure, including providing a monocrystalline silicon substrate; epitaxially growing, using a source gas of Ge¿x?H¿y?Cl¿z? for the germanium component, on the silicon substrate at a temperature in excess of 850 °C a graded Si¿1-x?Ge¿x? layer with increasing germanium concentration at a gradient of less than 25 % Ge per micron to a final composition in the range of 0.1<=x<=1; and epitaxially growing a layer of semiconductor material on the graded layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un matériau semiconducteur et d'une structure subséquente, qui consiste à mettre en place un substrat de silicium monocristallin. Le procédé consiste ensuite à utiliser une source gazeuse de Ge¿x?H¿y?Cl¿z? pour l'élément germanium pour déposer, par croissance épitaxiale, une couche Si¿1-x?Ge¿x? calibrée sur le substrat de silicium, à une température supérieure à 850 °C, la teneur en germanium augmentant à un gradient inférieur à 25 % Ge par micron, ce qui donne une composition finale de l'ordre de 0,1<=x<=1. Le procédé consiste enfin à déposer, par croissance épitaxiale, une couche de matériau semiconducteur sur la couche calibrée.
États désignés : CA, JP.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)