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1. (WO2001021294) EVOLUTION EN FONCTION DU TRACE DU PROFIL SUPERFICIEL EN METAL DE DEPOT ELECTROCHIMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/021294    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/040985
Date de publication : 29.03.2001 Date de dépôt international : 25.09.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    17.04.2001    
CIB :
C25D 3/38 (2006.01), C25D 5/18 (2006.01)
Déposants : SEMITOOL, INC. [US/US]; 655 West Reserve Drive, Kalispell, MT 59901 (US) (AT, BE, CH, CN, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, JP, KR, LU, MC, NL, PT, SE, SG only).
RITZDORF, Thomas, L. [US/US]; (US) (US Seulement).
FULTON, Dakin, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
CHEN, Linlin [CA/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : RITZDORF, Thomas, L.; (US).
FULTON, Dakin, J.; (US).
CHEN, Linlin; (US)
Mandataire : KELBON, Marcia, S.; Christensen O'Conner Johnson & Kindness PLLC, Suite 2800, 1420 Fifth Avenue, Seattle, WA 98101 (US)
Données relatives à la priorité :
60/155,959 24.09.1999 US
Titre (EN) PATTERN DEPENDENT SURFACE PROFILE EVOLUTION OF ELECTROCHEMICALLY DEPOSITED METAL
(FR) EVOLUTION EN FONCTION DU TRACE DU PROFIL SUPERFICIEL EN METAL DE DEPOT ELECTROCHIMIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A process for depositing a metal structure, such as copper interconnects, on a surface of a workpiece (10), such as a semiconductor wafer, the workpiece surface defining a plurality of recessed microstructures (14). The surface of the workpiece is exposed to an electroplating bath including copper ions to be deposited on the surface and an organic additive that influences the metal ions to be preferentially deposited within the recessed microstructures. Electroplating power is then provided between the exposed surface of the workpiece and the anode for a first time period such that the copper ions are deposited on the surface and nominally fill the recessed microstructures. The electroplating power is then reversed between the anode and exposed surface of the workpiece during at least a portion of a second time period to limit the deposition of further copper (20) over the nominally filled recessed microstructures, relative to the remainder of the surface, to ameliorate the development of a 'momentum plating' overburden bump of metal over the recessed microstructures.
(FR)Un procédé pour déposer une structure de métal telle que des interconnexions de cuivre sur une surface d'une pièce telle qu'une tranche de semi-conducteur, la surface de la pièce définissant une pluralité de microstructures en creux. La surface de la pièce est exposée à un bain de galvanoplastie incluant des ions de cuivre à faire déposer sur la surface et un additif organique qui influence les ions de métal devant se déposer de préférence dans les microstructures en creux plutôt que sur reste de la surface. On fait alors passer le courant de galvanoplastie entre la surface exposée de la pièce et l'anode pendant une première période de façon que les ions de cuivre se déposent sur la surface et remplissent nominalement les microstructures en creux. On inverse alors le courant de galvanoplastie entre l'anode et la surface exposée de la pièce pendant au moins une partir d'une seconde période de façon à limiter le dépôt d'autre cuivre sur les structures en creux nominalement remplies, plutôt que sur le reste de la surface, de façon à améliorer le développement d'une surcharge du métal en bosses dans la foulée de l'électrodéposition au-dessus des microstructures en creux. Selon un mode préféré de réalisation, le courant de galvanoplastie inversé est fourni sous forme d'une suite d'impulsions électriques inverses s'intercalant entre des impulsions dans le sens direct. Outre les impulsions en courant inversé, on peut également appliquer un courant en sens inverse pendant une période entretenue. L'invention concerne également un appareil permettant la mise en oeuvre du procédé par utilisation d'un courant inverse de façon à améliorer la formation de bosse de plaquage par inertie.
États désignés : CN, JP, KR, SG, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)