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1. (WO2001020689) PROCEDE DE REALISATION D'UN COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR A EMISSION DE LUMIERE LATERALEMENT MONOLITHIQUEMENT INTEGRE, ET COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR A EMISSION DE LUMIERE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/020689    N° de la demande internationale :    PCT/DE2000/003001
Date de publication : 22.03.2001 Date de dépôt international : 01.09.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    19.02.2001    
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 27/15 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH & CO. OHG [DE/DE]; Wernerwerkstrasse 2, 93049 Regensburg (DE) (Tous Sauf US).
HÄRLE, Volker [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : HÄRLE, Volker; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN & FISCHER GBR; Postfach 12 10 26, 80034 München (DE)
Données relatives à la priorité :
199 43 405.0 10.09.1999 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LATERAL MONOLITHISCH INTEGRIERTEN LICHTEMISSIONS-HALBLEITERBAUELEMENTS UND LICHTEMISSIONS-HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) METHOD FOR PRODUCING A LATERALLY INTEGRATED, MONOLITHIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT AND A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCEDE DE REALISATION D'UN COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR A EMISSION DE LUMIERE LATERALEMENT MONOLITHIQUEMENT INTEGRE, ET COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR A EMISSION DE LUMIERE
Abrégé : front page image
(DE)Ein Lichtemissions-Halbleiterbauelement wird dadurch hergestellt, daß in eine auf einem Halbleitersubstrat (1) aufgebrachte Maskenschicht (100) eine Anzahl Fensteröffnungen (200) unterschiedlicher Größe geformt wird, und das Zwischenprodukt durch metallorganische Gasphasenepitaxie derart mit metallorganischen Verbindungen beaufschlagt wird, daß in den Fensteröffnungen (200) aktive, elektrolumineszierende Halbleiterschichtenfolgen (2) mit unterschiedlicher Zusammensetzung eines ternären oder quaternären Halbleitermaterials aufgewachsen werden.
(EN)The invention relates to a light-emitting semiconductor component which is produced as follows: a plurality of cavities (200) of differing sizes is formed in a mask layer (100) which is applied to a semiconductor substrate (1) and the intermediate product is exposed to an organometallic gas phase epitaxy, in such a way that a series (2) of active electroluminescent semiconductor layers with varying compositions of a ternary or quaternary semiconductor material is grown in the cavities (200).
(FR)La présente invention concerne un composant à semi-conducteur à émission de lumière dont la réalisation se caractérise en ce qu'une pluralité d'ouvertures (200) de tailles différentes sont pratiquées dans une couche de masquage (100) recouvrant un substrat à semi-conducteur (1), et en ce que le produit intermédiaire reçoit des composés métallorganiques par épitaxie métallorganique en phase gazeuse de sorte que des successions de couches de semi-conducteur électroluminescentes actives (2) sont constituées dans les ouvertures (200) avec différentes compositions d'un matériau semi-conducteur ternaire ou quaternaire.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)