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1. (WO2001020682) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/020682    N° de la demande internationale :    PCT/EP2000/008500
Date de publication : 22.03.2001 Date de dépôt international : 31.08.2000
CIB :
H01L 27/02 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventeurs : VAN ROIJEN, Raymond; (NL).
EGBERS, Johannes, H., H., A.; (NL).
HERINGA, Anco; (NL)
Mandataire : HOUBIERS, Ernest, E., M., G.; Internationaal Octrooibureau B.V., Prof. Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
99203019.7 16.09.1999 EP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)In high-voltage devices comprising a lightly doped region (3) provided with a heavily doped contact zone (4), damage caused by local breakdown at the corner of the contact zone may occur as a result of the Kirk effect at a high current density. To improve the robustness of the device, an annular protection zone (14) of the same conductivity type is provided so as to surround the contact zone at a small distance. As a result, breakdown will occur initially at the corner of the protection zone. However, due to the resistance between the protection zone and the contact zone, a more uniform current distribution is obtained, which prevents damage caused by local current concentration.
(FR)Les dispositifs haute tension comprenant une région faiblement dopée (3) pourvue d'une zone de contact (4) fortement dopée, peuvent être endommagés par une défaillance locale au coin de la zone de contact à la suite de l'effet Kirk pour des densités de courant élevées. L'invention concerne une zone de protection annulaire (14) du même type de conductivité que la zone de contact, placée de manière à entourer celle-ci à faible distance, et ce afin d'améliorer la robustesse du dispositif. Une défaillance intervient par conséquent d'abord au coin de la zone de protection. On obtient toutefois, en raison de la résistance entre la zone de protection et la zone de contact, une distribution du courant plus uniforme qui prévient l'endommagement provoqué par une concentration locale du courant.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)