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1. (WO2001020665) PROCEDE DE REALISATION D'UNE CONNEXION EN CUIVRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/020665    N° de la demande internationale :    PCT/FR2000/002515
Date de publication : 22.03.2001 Date de dépôt international : 12.09.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.03.2001    
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
Déposants : COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE [FR/FR]; 31/33, rue de la Fédération, F-75752 Paris 15ème (FR) (Tous Sauf US).
STMICROELECTRONICS S.A. [FR/FR]; 7, avenue Galliéni, F-94250 Gentilly (FR) (Tous Sauf US).
MORAND, Yves [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
GOBIL, Yveline [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
DEMOLLIENS, Olivier [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
ASSOUS, Myriam [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : MORAND, Yves; (FR).
GOBIL, Yveline; (FR).
DEMOLLIENS, Olivier; (FR).
ASSOUS, Myriam; (FR)
Mandataire : LEHU, Jean; Brevatome, 3, rue du Docteur Lancereaux, F-75008 Paris (FR)
Données relatives à la priorité :
99/11468 14.09.1999 FR
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING A COPPER CONNECTION
(FR) PROCEDE DE REALISATION D'UNE CONNEXION EN CUIVRE
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a method for producing a copper connection with a copper connecting element (2) of an integrated circuit comprising a damascene structure, the connecting element (2) being coated successively with an encapsulating layer (3) and at least a dielectric material layer (4) with low dielectric constant. The method comprises the following steps: etching said dielectric material layer (4) until the encapsulating layer (3) is reached, to obtain a connection hole, opposite the connecting element; producing a protective layer (7) on the wall of the connecting hole, the protective layer preventing the dielectric layer from being contaminated by copper diffusion; etching the encapsulating layer (3), at the base of the connecting hole, in such a way as to expose the connecting element (2); filling the connecting hole with copper.
(FR)L'invention concerne un procédé de réalisation d'une connexion en cuivre avec un élément de connexion en cuivre (2) d'un circuit intégré comportant une structure damascène, l'élément de connexion (21) étant recouvert successivement d'une couche d'encapsulation (3) et d'au moins une couche de matériau diélectrique (4) à très faible constante diélectrique. Le procédé comprend les étapes suivantes: gravure de ladite couche de matériau diélectrique (4) jusqu'à atteindre la couche d'encapsulation (3), pour obtenir un trou de connexion, en vis-à-vis de l'élément de connexion; réalisation d'une couche de protection (7) sur la paroi du trou de connexion, la couche de protection permettant d'éviter la contamination de la couche de matériau diélectrique par diffusion du cuivre; gravure de la couche d'encapsulation (3), au fond du trou de connexion, conduite de manière à révéler l'élément de connexion (2); remplissage du trou de connexion par du cuivre.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)