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1. (WO2001020655) PROCEDE DE GRAVURE PLASMA DE FINES COUCHES DE MATERIAUX DIFFICILES A GRAVER A SEC
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/020655    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/023097
Date de publication : 22.03.2001 Date de dépôt international : 24.08.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.03.2001    
CIB :
C23F 4/00 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES NORTH AMERICA CORP. [US/US]; 1730 North First Street, San Jose, CA 95112-4508 (US).
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road, Armonk, NY 10504 (US)
Inventeurs : ATHAVALE, Satish, D.; (US).
GUTSCHE, Martin; (DE)
Mandataire : PASCHBURG, Donald, B.; Siemens Corporation, Intellectual Property Dept., 186 Wood Avenue South, Iselin, NJ 08830 (US).
VIGARS, Christopher Ian; HASELTINE LAKE & Co., Imperial House, 15-19 Kingsway, London, WC2B 6UD (GB)
Données relatives à la priorité :
09/396,178 14.09.1999 US
Titre (EN) METHOD OF PLASMA ETCHING THIN FILMS OF DIFFICULT TO DRY ETCH MATERIALS
(FR) PROCEDE DE GRAVURE PLASMA DE FINES COUCHES DE MATERIAUX DIFFICILES A GRAVER A SEC
Abrégé : front page image
(EN)A method for etching material which does not readily form volatile compounds in a plasma includes providing a plasma etch chamber including a wafer electrode at an initial temperature (step 100). Heat loss is preferably minimized (step 103). A reactive gas flow is provided to react with etch products of the material (step 106). Bias power is applied to the wafer electrode to impart bombardment energy to the charged particles incident on the wafer from the plasma such that a predetermined temperature is generated on a surface of the wafer (step 110) wherein the wafer electrode is maintained at about the initial temperature.
(FR)L'invention concerne un procédé de gravure de matériaux, ne formant pas immédiatement des composés volatiles dans un plasma. Ce procédé fait intervenir une chambre de gravure plasma comportant une électrode de plaquette à une température initiale (étape 100). De préférence, la déperdition thermique est minimisée (étape 103). Un flux de gaz réactif est destiné à réagir avec les produits gravés du matériau (étape 106). Une énergie de polarisation est appliquée à l'électrode de plaquette afin d'imprimer une énergie de bombardement aux particules chargées arrivant sur la plaquette à partir du plasma, de manière qu'une température prédéterminée soit créée à la surface de la plaquette (étape 110), l'électrode de plaquette étant maintenue environ à la température initiale.
États désignés : CN, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)