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1. (WO2001020643) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE MEMOIRE COMPORTANT UNE CELLULE DE MEMOIRE ET UNE TRANCHEE D'ISOLATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/020643    N° de la demande internationale :    PCT/DE2000/003154
Date de publication : 22.03.2001 Date de dépôt international : 11.09.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.04.2001    
CIB :
H01L 21/8242 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, 81669-München (DE) (Tous Sauf US).
SCHREMS, Martin [AT/DE]; (DE) (US Seulement).
GERNHARDT, Stefan [DE/US]; (US) (US Seulement).
MORHARD, Klaus, Dieter [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
STEGEMANN, Maik [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : SCHREMS, Martin; (DE).
GERNHARDT, Stefan; (US).
MORHARD, Klaus, Dieter; (DE).
STEGEMANN, Maik; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN & FISCHER GBR; Postfach 12 10 26, 80034 München (DE)
Données relatives à la priorité :
199 44 011.5 14.09.1999 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SPEICHERS MIT EINER SPEICHERZELLE UND EINEM ISOLATIONSGRABEN
(EN) METHOD FOR PRODUCING A MEMORY, COMPRISING A MEMORY CELL AND A TRENCH ISOLATION
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UNE MEMOIRE COMPORTANT UNE CELLULE DE MEMOIRE ET UNE TRANCHEE D'ISOLATION
Abrégé : front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Speichers mit den Schritten: Bilden eines Grabens (108) in einem Substrat (101), Bilden eines Isolationskragens (168) in dem Graben (108), bilden einer dielektrischen Schicht (164) in dem Graben (108), Füllen des Grabens (108) mit einer leitenden Grabenfüllung (161) und Bilden eines Transistors (110). Weiterhin wird zur Bildung eines Isolationsgrabens (180) nach dem Füllen des Grabens (108) mit der leitenden Grabenfüllung (161) ein Grabendeckeldielektrikum (430) in dem Graben (108) gebildet und das Grabendeckeldielektrikum (430) beim Bilden des Isolationsgrabens (180) als Ätzmaske verwendet, so daß der Isolationsgraben (180) selbstjustiert bezüglich des Grabens (108) gebildet wird. Durch die selbstjustierte Herstellung des Isolationsgrabens (180) ist die Position des Isolationsgrabens (180) weitestgehend unabhängig von der Photobelichter-Justiergenauigkeit.
(EN)The invention relates to a method for producing a memory, comprising the following steps: formation of a trench (108) in a substrate (101), formation of an isolation collar (168) in the trench (108), formation of a dielectric layer (164) in the trench (108), filling of the trench (108) with a conductive trench-fill agent (161) and formation of a transistor (110). In order to form a trench isolation (180) once the trench (108) has been filled with the conductive trench-fill agent (161), a trench cover dielectric (430) is also formed in the trench (108) and said trench cover dielectric (430) is used as an etching mask during the formation of the trench isolation (180), in such a way that said trench isolation (180) is formed in a self-aligning manner, in relation to the trench (108). As a result of this self-aligned production of the trench isolation (180), the position of the same (180) is to a great extent independent of the alignment accuracy of the photo-exposure means.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une mémoire, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : formation d'une tranchée (108) dans un substrat (101), formation d'une collerette d'isolation (168) dans la tranchée (108), formation d'une couche diélectrique (164) dans la tranchée (108), remplissage de la tranchée (108) par une charge conductrice (161) et formation d'un transistor (110). En vue de former une tranchée d'isolation (180) après remplissage de la tranchée (108) par la charge conductrice (161), un diélectrique de recouvrement de tranchée (430) est formé dans la tranchée (108), et le diélectrique (430) est utilisé comme masque d'attaque durant la formation de la tranchée d'isolation (180), de sorte que cette dernière est auto-alignée par rapport à la tranchée (108). Grâce à la fabrication auto-alignée de la tranchée d'isolation (180), la position de celle-ci est, dans une large mesure, indépendante de la précision de l'alignement des moyens de photo-exposition.
États désignés : JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)