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1. (WO2001020638) PROCEDE DE TRAITEMENT DE SURFACE UTILISE DANS L'ELABORATION D'UN FILM EN CARBONE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/020638    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/024284
Date de publication : 22.03.2001 Date de dépôt international : 31.08.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.02.2001    
CIB :
H01J 1/304 (2006.01), H01J 9/02 (2006.01)
Déposants : SI DIAMOND TECHNOLOGY, INC. [US/US]; Suite 107, 3006 Longhorn Blvd., Austin, TX 78758 (US)
Inventeurs : TOLT, Zhidan, Li; (US).
YANIV, Zvi; (US).
FINK, Richard, Lee; (US)
Mandataire : KORDZIK, Kelly, K.; Winstead Sechrest & Minick P.C., Suite 5400, 1201 Elm Street, Dallas, TX 75270 (US)
Données relatives à la priorité :
09/396,343 15.09.1999 US
Titre (EN) A SURFACE TREATMENT PROCESS USED IN GROWING A CARBON FILM
(FR) PROCEDE DE TRAITEMENT DE SURFACE UTILISE DANS L'ELABORATION D'UN FILM EN CARBONE
Abrégé : front page image
(EN)A carbon and/or diamond film (501) for a field emitter device (80), which may be utilized within a computer display, is produced by a process utilizing treatment of a substance and then depositing the film. The treatment step creates nucleation and growth sites on the substrate (101) for the film deposition process and promotes electron emission of the deposited film. With this process, a patterned emission can be achieved without post-deposition processing of the film. A field emission device (80) can be manufactured with such a film.
(FR)L'invention concerne un procédé qui consiste à élaborer un film en carbone et/ou en diamant (501) pour dispositif à émission de champ (80), susceptible d'être utilisé dans un écran d'ordinateur. On procède au traitement d'une substance avant de déposer le film. Le traitement engendre des sites de nucléation et de croissance sur le substrat (101) pour le dépôt du film et favorise l'émission d'électrons par le film déposé. On obtient ainsi une émission structurée qui ne nécessite aucun traitement du film postérieur au dépôt. Ce type de film permet de fabriquer des dispositifs à émission de champ (80).
États désignés : CA, CN, JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)