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1. (WO2001020356) CAPTEUR MAGNETORESISTIF OU ELEMENTS MEMOIRE A CHAMP DE COMMUTATION MAGNETIQUE REDUIT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/020356    N° de la demande internationale :    PCT/EP2000/008442
Date de publication : 22.03.2001 Date de dépôt international : 30.08.2000
CIB :
G01R 33/09 (2006.01), G11B 5/39 (2006.01), G11B 5/596 (2006.01), G11C 11/16 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL)
Inventeurs : COEHOORN, Reinder; (NL)
Mandataire : DUIJVESTIJN, Adrianus, J.; Internationaal Octrooibureau B.V., Prof Holstlaan 6, NL-5656 AA Eindhoven (NL)
Données relatives à la priorité :
99202945.4 10.09.1999 EP
Titre (EN) MAGNETORESISTIVE SENSOR OR MEMORY ELEMENTS WITH DECREASED MAGNETIC SWITCH FIELD
(FR) CAPTEUR MAGNETORESISTIF OU ELEMENTS MEMOIRE A CHAMP DE COMMUTATION MAGNETIQUE REDUIT
Abrégé : front page image
(EN)A sensor (MRE) or memory element (ME) having a free (1, 2, 3) and a pinned (M¿p?, 6) magnetic layer separated by a separation layer (5). The free layer comprises a sandwich structure comprising two magnetic layers (1, 2), coupled anti-ferromagnetically by a thin non-magnetic layer (3), the easy magnetization direction for the two magnetic layers being directed transversely to the longitudinal axis (l) of the stripe.
(FR)On décrit un capteur (élément magnétorésistif) ou un élément mémoire (EM) qui comporte une couche magnétique libre (1, 2, 3) et une couche magnétique fixe (M¿p?, 6) séparées par une couche de séparation (5). La couche libre est formée d'une structure sandwich constituée de deux couches magnétiques (1, 2), couplées de manière non ferromagnétique par une mince couche non magnétique (3), le sens de magnétisation simple pour les deux couches magnétiques étant orienté transversalement à l'axe longitudinal (1) de la bande.
États désignés : JP, KR.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)