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1. (WO2001020352) REPRESENTATION QUANTITATIVE PERMETTANT DE MESURER DES PROPRIETES DE PERMITTIVITE ET D'ACCORDIBILITE DIELECTRIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/020352    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/008943
Date de publication : 22.03.2001 Date de dépôt international : 05.04.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    09.04.2001    
CIB :
G01R 27/26 (2006.01)
Déposants : ANLAGE, Steven, Mark [US/US]; (US) (US Seulement).
STEINHAUER, David, Ethan [US/US]; (US) (US Seulement).
VLAHACOS, Constantine, P. [US/US]; (US) (US Seulement).
WELLSTOOD, Frederick, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
UNIVERSITY OF MARYLAND, COLLEGE PARK [US/US]; Office of Technology Commercialization, 6200 Baltimore Avenue, College Park, Maryland 20742 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : ANLAGE, Steven, Mark; (US).
STEINHAUER, David, Ethan; (US).
VLAHACOS, Constantine, P.; (US).
WELLSTOOD, Frederick, C.; (US)
Mandataire : SOKOHL, Robert, E.; Sterne, Kessler, Goldstein & Fox P.L.L.C., Suite 600, 1100 New York Avenue, N.W., Washington, DC 20005-3934 (US)
Données relatives à la priorité :
60/153,354 10.09.1999 US
60/191,903 24.03.2000 US
Titre (EN) QUANTITATIVE IMAGING OF DIELECTIC PERMITTIVITY AND TUNABILITY
(FR) REPRESENTATION QUANTITATIVE PERMETTANT DE MESURER DES PROPRIETES DE PERMITTIVITE ET D'ACCORDIBILITE DIELECTRIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A near-field scanning microwave microscope images the permittivity and dielectric tunability of bulk and thin film dielectric samples on a length scale of about 1 micron or less. The microscope is sensitive to the linear permittivity, as well as to nonlinear dielectric terms, which can be measured as a function of an applied electric field. A versatile finite element model is used for the system, which allows quantitative results to be obtained. The technique is non destructive and has broadband (0.1-50 GHz) capability.
(FR)L'invention concerne un système utilisant un microscope à ondes ultracourtes à balayage de champ proche, qui permet de représenter la permittivité et l'accordabilité diélectriques d'échantillons diélectriques de couches minces ou grossières sur une échelle de longueur d'environ un micron ou moins. Le microscope est sensible à la permittivité linéaire, ainsi qu'aux conditions diélectriques non linéaires pouvant être mesurées sous forme d'une fonction d'un champ électrique appliqué. On utilise un modèle d'élément polyvalent fini dans ledit système, ce qui permet d'obtenir des résultats quantitatifs. Cette technique est non destructive et permet d'obtenir une capacité large bande (0.1-50 GHz).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)