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1. (WO2001019723) MICROSTRUCTURE INTEGREE SUSPENDUE TRIDIMENSIONELLE ET PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/019723    N° de la demande internationale :    PCT/EP2000/008655
Date de publication : 22.03.2001 Date de dépôt international : 05.09.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    12.01.2001    
CIB :
B81B 3/00 (2006.01), G02B 7/00 (2006.01), G02B 26/00 (2006.01), G02B 26/08 (2006.01)
Déposants : ECOLE POLYTECHNIQUE FÉDÉRALE DE LAUSANNE (EPFL) [CH/CH]; @SRI, CM-Ecublens, CH-1015 Lausanne (CH) (Tous Sauf US).
LAMMEL, Gerhard [DE/CH]; (CH) (US Seulement)
Inventeurs : LAMMEL, Gerhard; (CH)
Mandataire : I C B; Ingénieurs Conseils en Brevets SA, Rue des Sors 7, CH-2074 Marin (CH)
Données relatives à la priorité :
99117852.6 10.09.1999 EP
Titre (EN) THREE-DIMENSIONAL SUSPENDED INTEGRATED MICROSTRUCTURE AND METHOD FOR MAKING SAME
(FR) MICROSTRUCTURE INTEGREE SUSPENDUE TRIDIMENSIONELLE ET PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)The invention concerns a method for making a suspended microstructure comprising the following steps: forming a masking layer on a substrate top surface; structuring the masking layer to form at least an opening substantially defining the surface of said microstructure and for exposing part of the substrate corresponding to said surface; causing by electrochemical process said exposed semiconductor material to become porous over a predetermined thickness; electropolishing the semiconductor material underlying said microstructure made porous to form a cavity enclosing at least partially said microstructure beneath the masking layer level; and releasing said microstructure made porous to form a microstructure suspended to said substrate by at least a connection portion of its perimeter to provide said microstructure with mobility outside the substrate plane.
(FR)L'invention concerne un procédé pour la fabrication d'une microstructure suspendue comprenant les étapes suivantes: former une couche de masquage sur une surface supérieure d'un substrat; structurer la couche de masquage pour former au moins une ouverture définissant sensiblement la surface de ladite microstructure et pour découvrir une partie du substrat correspondant à cette surface; porosifier électrochimiquement ledit matériau semi-conducteur découvert sur une épaisseur déterminée; électropolir le matériau semi-conducteur sous-jacent à ladite microstructure porosifiée pour former une cavité entourant au moins partiellement cette microstructure en dessous du niveau de la couche de masquage; et libérer ladite microstructure porosifiée pour former la microstructure suspendue audit substrat par au moins une portion de connexion de son périmètre pour conférer à cette microstructure une mobilité en dehors du plan du substrat.
États désignés : JP, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)