WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2001018951) DISPOSITIF ET PROCEDE SE RAPPORTANT A DES OSCILLATEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/018951    N° de la demande internationale :    PCT/SE2000/001651
Date de publication : 15.03.2001 Date de dépôt international : 29.08.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.04.2001    
CIB :
H03B 5/02 (2006.01), H03B 5/12 (2006.01)
Déposants : TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON [SE/SE]; S-126 25 Stockholm (SE) (Tous Sauf US).
ALEXANDERSSON, Mats [SE/SE]; (SE) (US Seulement)
Inventeurs : ALEXANDERSSON, Mats; (SE)
Mandataire : GÖTEBORGS PATENTBYRÅ DAHLS AB; Sjöporten 4, S-417 64 Göteborg (SE)
Données relatives à la priorité :
9903219-5 08.09.1999 SE
Titre (EN) AN ARRANGEMENT AND METHOD RELATING TO OSCILLATORS
(FR) DISPOSITIF ET PROCEDE SE RAPPORTANT A DES OSCILLATEURS
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to an oscillator (200, 300, 600, 800) comprising a first substrate (210) on which a resonator circuit (310, 400, 610, H) and an amplifier circuit (320, 620, A) are arranged, said resonator circuit comprising first set of components (L¿R?, C¿R?, VD¿1?, VD¿2?, RFC¿1?, RFC¿2?, RFC¿2?, VD¿3?, C¿C?) and said amplifier circuit comprising a second set of components (C¿1?, C¿2?, C¿out?, RFC) and an amplifier transistor (T). The first substrate comprises at least two additional substrates (220, 230; 820, 830): a second substantially insulating substrate (220, 820) and a third substantially semiconducting substrate (230, 830), and in that at least said transistor (T) is arranged on said third substrate while said first and second set of components (L¿R?, C¿R?, VD¿1?, VD¿2?, RFC¿1?, RFC¿2?, RFC¿2?, VD¿3?, C¿C?; C¿1?, C¿2?, C¿out?, RFC) are arranged on said second substantially insulating substrate (220).
(FR)La présente invention concerne un oscillateur (200, 300, 600, 800) comprenant un premier substrat (210) équipé d'un circuit résonant (310, 400, 610, H) et d'un amplificateur (320, 620, A). Ce circuit résonant comprend un premier ensemble de composants (L¿R?, C¿R?, VD¿1?, VD¿2?, RFC¿1?, RFC¿2?, RFC¿2?, VD¿3?, C¿C?), l'amplificateur comprenant, d'une part un second ensemble de composants (C¿1?, C¿2?, C¿out?, RFC), et d'autre part un transistor amplificateur (T). Le premier substrat comporte au moins deux autres substrats (220, 230; 820, 830): en l'occurrence un deuxième substrat sensiblement isolant (220, 820) et un troisième substrat sensiblement semi-conducteur (230, 830), le transistor étant monté sur le troisième substrat alors que le premier et le second ensemble de composants (L¿R?, C¿R?, VD¿1?, VD¿2?, RFC¿1?, RFC¿2?, RFC¿2?, VD¿3?, C¿C?; C¿1?, C¿2?, C¿out?, RFC) sont montés sur le deuxième substrat sensiblement isolant (220).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)