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1. (WO2001018870) COMPOSANT DE COMPENSATION ET PROCEDE PERMETTANT DE LE PRODUIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/018870    N° de la demande internationale :    PCT/EP2000/008707
Date de publication : 15.03.2001 Date de dépôt international : 06.09.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.03.2001    
CIB :
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/266 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/167 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, 81541 München (DE) (Tous Sauf US).
MAUDER, Anton [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SCHULZE, Hans-Joachim [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
DEBOY, Gerald [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
STRACK, Helmut [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : MAUDER, Anton; (DE).
SCHULZE, Hans-Joachim; (DE).
DEBOY, Gerald; (DE).
STRACK, Helmut; (DE)
Mandataire : WESTPHAL, MUSSGNUG & PARTNER; Mozartstrasse 8, 80336 München (DE).
BICKEL, Michael; Westphal, Mussgnug & Partner, Mozartstrasse 8, 80336 Muenchen (DE)
Données relatives à la priorité :
199 42 677.5 07.09.1999 DE
Titre (DE) LADUNGSKOMPENSATIONSHALBLEITERANORDNUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
(EN) CHARGE COMPENSATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) COMPOSANT DE COMPENSATION ET PROCEDE PERMETTANT DE LE PRODUIRE
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein Kompensationsbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung beschrieben, wobei Kompensationsgebiete (3) durch Implantation von Schwefel oder Selen in einer p-leiten-den Halbleiterschicht (3) erzeugt werden oder als p-leitende Gebiete (8), die mit Indium, Thallium und/oder Palladium dotiert sind, clusterartig in einem n-leitenden Gebiet (7) vorgesehen werden.
(EN)The invention relates to a compensating component and to a method for the production thereof, whereby compensating regions (3) are produced by implanting sulfur or selenium in a p-conductive semiconductor layer (3) or, are provided as p-conductive regions (8), which are doped with indium, thallium and/or palladium, in a cluster-like manner inside an n-conductive region (7).
(FR)L'invention concerne un composant de compensation et un procédé permettant de le produire. Les zones de compensation (3) sont obtenues par implantation de soufre ou de sélénium dans une couche semi-conductrice (3) de conductivité p ou sont prévues, en grappes dans une zone de conductivité n, sous forme de zones de conductivité p dopées avec indium, thallium et/ou palladium.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)