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1. (WO2001018865) MODULE AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE HAUTE-FREQUENCE ET APPAREIL DE RADIOCOMMUNICATIONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/018865    N° de la demande internationale :    PCT/JP1999/004819
Date de publication : 15.03.2001 Date de dépôt international : 06.09.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    06.09.1999    
CIB :
H01L 27/02 (2006.01), H03F 1/52 (2006.01), H03F 3/195 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6, Kanda Surugadai 4-chome Chiyoda-ku, Tokyo 101-8010 (JP) (Tous Sauf US).
HITACHI ULSI ENGINEERING CORP. [JP/JP]; 22-1, Josuihoncho 5-chome Kodaira-shi, Tokyo 187-8522 (JP) (Tous Sauf US).
KUSANO, Cyushiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HASE, Eiichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ONO, Hideyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAGAYA, Osamu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UMEMOTO, Yasunari [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUJITA, Takahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMASHITA, Kiichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KUSANO, Cyushiro; (JP).
HASE, Eiichi; (JP).
ONO, Hideyuki; (JP).
KAGAYA, Osamu; (JP).
UMEMOTO, Yasunari; (JP).
FUJITA, Takahiro; (JP).
YAMASHITA, Kiichi; (JP)
Mandataire : AKITA, Shuki; Twintabata Building B, 2nd Floor 13-9, Higashi-Tabata 1-chome Kita-ku, Tokyo 114-0013 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) HIGH-FREQUENCY POWER AMPLIFICATION MODULE AND RADIO COMMUNICATION DEVICE
(FR) MODULE AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE HAUTE-FREQUENCE ET APPAREIL DE RADIOCOMMUNICATIONS
Abrégé : front page image
(EN)A high-frequency power amplification module comprises a plurality of cascaded heterojunction bipolar transistors (npn type HBT). A protective circuit including a series circuit of a plurality of pn-junction diodes is connected between the collector and emitters of the HBTs, with the collectors connected to the p-side of the diodes and the emitters connected to the n-side of the diodes. A protective circuit including a series circuit of a plurality of pn-junction diodes is connected between the bases and emitters, with the bases connected to the p-side of the diodes and the emitters connected to the n-side of the diodes. If an excessive voltage is applied between the collector and the emitter or between the base and the emitter because of the change in antenna load or in the assembly of the module, the clamping of the protection circuit protects the HBTs against damage.
(FR)La présente invention concerne un module amplificateur de puissance haute-fréquence comprenant une pluralité de transistors HBT (transistors bipolaires à hétérojonction) de type npn montés en cascade. Un circuit de protection comporte un circuit série de plusieurs diodes à jonction pn montées entre le collecteur et les émetteurs du HBT, les collecteurs donnant sur la phase p des diodes, les émetteurs sur les phases n de ces mêmes diodes. Enfin un circuit de protection comporte un circuit série de plusieurs diodes à jonction pn montées entre le collecteur et les émetteurs du HBT, les bases donnant sur la phase p des diodes, les émetteurs sur les phases n de ces mêmes diodes. En cas de surtension entre le collecteur et l'émetteur ou entre la base et l'émetteur par suite d'une variation de la charge d'antenne ou dans l'ensemble du module, le blocage du circuit de protection vient protéger le HBT de toute dégradation.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)