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1. (WO2001018861) COUCHE D'ARRET DE GRAVURE A FAIBLE CONSTANTE DIELECTRIQUE DANS UN PROCEDE DE DOUBLE DAMASQUINAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/018861    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/024770
Date de publication : 15.03.2001 Date de dépôt international : 08.09.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    05.04.2001    
CIB :
H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : ALLIEDSIGNAL INC. [US/US]; 101 Columbia Avenue, P.O. Box 2245, Morristown, NJ 07960 (US)
Inventeurs : CHUNG, Henry; (US).
LIN, James; (TW)
Mandataire : CRISS, Roger, H.; AlliedSignal Inc., 101 Columbia Avenue, P.O. Box 2245, Morristown, NJ 07960 (US)
Données relatives à la priorité :
09/391,721 08.09.1999 US
Titre (EN) LOW DIELECTRIC-CONSTANT ETCH STOP LAYER IN DUAL DAMASCENE PROCESS
(FR) COUCHE D'ARRET DE GRAVURE A FAIBLE CONSTANTE DIELECTRIQUE DANS UN PROCEDE DE DOUBLE DAMASQUINAGE
Abrégé : front page image
(EN)The invention provides microelectronic devices such as integrated circuit devices. Such have vias, interconnect metallization and wiring lines using dissimilar low dielectric constant intermetal dielectrics. The use of both organic and inorganic low-k dielectrics offers advantages due to the significantly different plasma etch characteristics of the two kinds of dielectrics. One dielectric serves as the etchstop in etching the other dielectric so that no additional etchstop layer is required. A microelectronic device is formed having a substrate and a layer of a first dielectric material positioned on the substrate. A layer of a second dielectric material is positioned on the first dielectric layer and an additional layer of the first dielectric material positioned on the second dielectric material. At least one via extends through the first dielectric material layer and the second dielectric material layer, and at least one trench extends through the additional layer of the first dielectric material to the via.
(FR)L'invention porte sur des dispositifs micro-électroniques tels que des circuits intégrés. Certains de ces dispositifs comportent des trous d'interconnexion, des lignes de métallisation et de câblage d'interconnexion utilisant des diélectriques intermétalliques dissemblables à faible constante diélectrique. L'utilisation des diélectriques organiques et inorganiques à faible constante diélectrique offrent des avantages obtenus par les différentes caractéristiques de gravure au plasma des deux types de diélectrique. Un diélectrique est utilisé comme butée dans la gravure de l'autre diélectrique de sorte qu'une couche d'arrêt de gravure supplémentaire ne soit pas nécessaire. Il est ainsi possible de former un dispositif micro-électronique pourvu d'un substrat sur lequel est positionnée une couche d'un premier matériau diélectrique. Une couche d'un second matériau diélectrique est positionnée sur la première couche et une couche supplémentaire de premier matériau diélectrique est positionnée sur le second matériau diélectrique. Au moins un trou d'interconnexion s'étend dans la première couche de matériau diélectrique et dans la seconde couche de matériau diélectrique, et au moins une tranchée s'étend dans la couche supplémentaire du premier matériau diélectrique vers le trou d'interconnexion.
États désignés : AE, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)