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1. (WO2001018859) DISPOSITIF ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN POLE MAGNETIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/018859    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/024613
Date de publication : 15.03.2001 Date de dépôt international : 08.09.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    10.04.2001    
CIB :
C25D 5/02 (2006.01), C25D 7/12 (2006.01), G11B 5/31 (2006.01), H01F 41/30 (2006.01)
Déposants : UNAXIS USA INC. [US/US]; 10050 16th Street North, St. Petersburg, FL 33716 (US) (Tous Sauf US).
KOBRIN, Boris [RU/US]; (US) (US Seulement).
OSTAN, Edward [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KOBRIN, Boris; (US).
OSTAN, Edward; (US)
Mandataire : ISACSON, John, P.; Foley & Lardner, Suite 500, 3000 K Street, N.W., Washington, DC 20007-5109 (US).
KAMINSKI, Michael; Foley & Lardner, 3000 K Street, NW, Suite 500, Washington, DC 20007-5109 (US)
Données relatives à la priorité :
60/153,074 10.09.1999 US
Titre (EN) MAGNETIC POLE FABRICATION PROCESS AND DEVICE
(FR) DISPOSITIF ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN POLE MAGNETIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A method and apparatus for fabricating an electroplating mask for the formation of a miniature magnetic pole tip structure. The method incorporates a silylation process to silylate photoresist after creating a photoresist cavity or trench (60) in the electroplating mask. The silylation process is performed after a dry etch of the photoresist. Alternatively, silylation is performed after a lithographic patterning of the trench. As a result of chemical biasing, the vertical side walls (62, 64) of the photoresist layer shift inward creating a narrower trench. The resulting structure (65) formed after electroplating has a width of less than 0.3 micrometers. This structure can be used as a magnetic pole of a thin film head ('TFH') for a data storage device.
(FR)L'invention concerne un procédé et un dispositif permettant de fabriquer un masque galvanoplastique destiné à la formation d'une structure d'extrémité polaire magnétique miniature. Le procédé comprend un processus de silylation destiné à la silylation de photorésine après formation d'une cavité ou d'un sillon (60) de photorésine dans le masque galvanoplastique. Le processus de silylation est effectué après gravure à sec de la photorésine. Après cette prémagnétisation chimique, les parois latérales verticales (62, 64) de la couche de photorésine se retournent pour former un sillon plus étroit. La structure obtenue après galvanoplastie présente une largeur inférieure à 0,3 micromètres. Cette structure (65) peut être utilisée comme pole magnétique de tête de couche mince ('TFH') pour un dispositif de mise en mémoire de données.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)