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1. (WO2001018854) PROCEDES DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS A COUCHES MINCES POLYCRISTALLINS A GROS GRAINS UNIFORMES ET A EMPLACEMENTS DE JOINTS DE GRAINS DIRIGES PAR UTILISATION DE SOLIDIFICATION LATERALE SEQUENTIELLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/018854    N° de la demande internationale :    PCT/US2000/023667
Date de publication : 15.03.2001 Date de dépôt international : 29.08.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.03.2001    
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK [US/US]; 116th Street and Broadway, New York, NY 10027 (US)
Inventeurs : IM, James, S.; (US).
SPOSILI, Robert, S.; (US).
CROWDER, Mark, A.; (US)
Mandataire : TANG, Henry; Baker Botts LLP, 30 Rockefeller Plaza, New York, NY 10112-0228 (US)
Données relatives à la priorité :
09/390,535 03.09.1999 US
Titre (EN) METHODS FOR PRODUCING UNIFORM LARGE-GRAINED AND GRAIN BOUNDARY LOCATION MANIPULATED POLYCRYSTALLINE THIN FILM SEMICONDUCTORS USING SEQUENTIAL LATERAL SOLIDIFICATION
(FR) PROCEDES DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS A COUCHES MINCES POLYCRISTALLINS A GROS GRAINS UNIFORMES ET A EMPLACEMENTS DE JOINTS DE GRAINS DIRIGES PAR UTILISATION DE SOLIDIFICATION LATERALE SEQUENTIELLE
Abrégé : front page image
(EN)Methods for processing an amorphous silicon (542) thin film sample (170) into a polycrystalline silicon (540) thin film are disclosed. In one preferred arrangement, a method includes the steps of generating a sequence of excimer laser pulses (164), controllably modulating each excimer laser (110) pulse in the sequence to a predetermined fluency, homogenizing each modulated laser pulse in the sequence in a predetermined plane, masking portions of each homogenized fluency controlled laser pulse in the sequence with a two dimensional pattern of slits (220) to generate a sequence of fluency controlled pulses of line patterned beamlets, each slit in the pattern of slits being sufficiently narrow to prevent inducement of significant nucleation in region of a silicon thin film sample irradiated by a beamlet corresponding to the slit, irradiating an amorphous silicon thin film sample with the sequence of fluency controlled slit patterned beamlets to effect melting of portions thereof corresponding to each fluency controlled patterned beamlet pulse in the sequence of pulses of patterned beamlets.
(FR)La présente invention concerne des procédés destinés à transformer un échantillon de couche mince (170) de silicium amorphe (542) en couche mince de silicium polycristallin (540). Dans une réalisation préférée, un procédé consiste à produire une séquence d'impulsions de laser à excimères (164), à moduler de manière régulée, dans la séquence, chaque impulsion de laser à excimères (110) selon une fluence prédéterminée, à homogénéiser chaque impulsion laser modulée de la séquence dans un plan prédéterminé, à masquer, dans la séquence, des portions de chaque impulsion laser homogénéisée à fluence régulée au moyen d'une forme bidimensionnelle de fentes (220) afin de produire une séquence d'impulsions à fluence régulée de petits faisceaux à formes de lignes, chaque fente de la forme étant suffisamment étroite afin de ne pas favoriser une nucléation importante dans une région d'un échantillon de couche mince de silicium irradiée par un petit faisceau correspondant à la fente, à irradier un échantillon de couche mince de silicium avec la séquence de petits faisceaux formés par les fentes à fluence régulée, afin de faire fondre des portions de l'échantillon correspondant à chaque impulsion de petit faisceau de la séquence.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VN, YU, ZA, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)