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1. (WO2001018850) SYSTEME DE REGULATION DE LA TEMPERATURE D'UN SUBSTRAT REFLECHISSANT PENDANT UN CHAUFFAGE RAPIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/018850    N° de la demande internationale :    PCT/IB2000/001222
Date de publication : 15.03.2001 Date de dépôt international : 30.08.2000
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    29.03.2001    
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : STEAG RTP SYSTEMS, INC. [US/US]; 4425 Fortran Drive, San Jose, CA 95134-2300 (US)
Inventeurs : TAY, Sing, Pin; (US).
HU, Yao, Zhi; (US).
THAKUR, Randhir; (US).
GAT, Arnon; (US)
Données relatives à la priorité :
09/390,305 03.09.1999 US
60/204,072 12.05.2000 US
09/648,839 25.08.2000 US
Titre (EN) SYSTEM FOR CONTROLLING THE TEMPERATURE OF A REFLECTIVE SUBSTRATE DURING RAPID HEATING
(FR) SYSTEME DE REGULATION DE LA TEMPERATURE D'UN SUBSTRAT REFLECHISSANT PENDANT UN CHAUFFAGE RAPIDE
Abrégé : front page image
(EN)A system and process is disclosed for rapidly heating semiconductor wafers coated with a highly reflective material on either the whole wafer or in a patterned area. The wafers are heated in a thermal processing chamber by a plurality of lamps. In order for the wafer coated with the highly reflective material to more rapidly increase in temperature with lower power intensity, a shield member is placed in between the wafer and the plurality of lamps. The shield member is made from a high emissivity material, such as ceramic, that increases in temperature when exposed to light energy. Once heated, the shield member then in turn heats the semiconductor wafer with higher uniformity. In one embodiment, the shield member can also be used to determine the temperature of the wafer as it is heated.
(FR)Cette invention concerne un système et une technique permettant de chauffer rapidement des tranches de semi-conducteur recouvertes d'un matériau hautement réfléchissant soit sur la totalité, soit sur certaines zones déterminées desdites tranches. Les tranches sont chauffées dans une chambre de traitement thermique au moyen d'une pluralité de lampes. Pour que la température de la tranche recouverte du matériau hautement réfléchissant augmente plus rapidement, mais pour réduire l'intensité de l'énergie, on place un élément écran entre la tranche et la pluralité de lampes. Cet élément écran est fait d'un matériau à forte émissivité, tel qu'une céramique dont la température augmente en cas d'exposition à l'énergie lumineuse. Une fois chauffé, l'élément écran assure à son tour un chauffage plus uniforme des tranches de semi-conducteur. Selon un mode de réalisation, l'élément écran peut également servir à mesure la température de la tranche pendant le chauffage.
États désignés : JP, KR, SG.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)