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1. (WO2001018839) SOURCE D'ELECTRONS EN COUCHE MINCE, PROCEDE DE FABRICATION DE SOURCE D'ELECTRONS EN COUCHE MINCE, ET AFFICHEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2001/018839    N° de la demande internationale :    PCT/JP1999/004820
Date de publication : 15.03.2001 Date de dépôt international : 06.09.1999
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    06.09.1999    
CIB :
H01J 1/312 (2006.01), H01J 9/02 (2006.01)
Déposants : HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6, Kanda Surugadai 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101-8010 (JP) (Tous Sauf US).
KUSUNOKI, Toshiaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUZUKI, Mutsumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAGAWA, Masakazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OKAI, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISHIZAKA, Akitoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KUSUNOKI, Toshiaki; (JP).
SUZUKI, Mutsumi; (JP).
SAGAWA, Masakazu; (JP).
OKAI, Makoto; (JP).
ISHIZAKA, Akitoshi; (JP)
Mandataire : AKITA, Shuki; Twintabata Building B, 2nd Floor, 13-9, Higashi-Tabata 1-chome, Kita-ku, Tokyo 114-0013 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) THIN-FILM ELECTRON SOURCE, PROCESS FOR MANUFACTURING THIN-FILM ELECTRON SOURCE, AND DISPLAY
(FR) SOURCE D'ELECTRONS EN COUCHE MINCE, PROCEDE DE FABRICATION DE SOURCE D'ELECTRONS EN COUCHE MINCE, ET AFFICHEUR
Abrégé : front page image
(EN)A process for manufacturing a thin-film electron source including a lower electrode (11), an upper electrode, and an insulating layer sandwiched between the lower electrode (11) and the upper electrode. The process comprises a first step of forming an anodized film over the surface of the lower electrode (11) by an anodizing method, a second step of etching the surface side of the anodized film, and a third step of forming an anodized film again over the surface of the lower electrode (11) by an anodizing method to form said insulating layer. As a result, the film thickness of such an outer layer (26) of the insulating layer containing much impurity can be reduced to reduce the number of electron trapped.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de source d'électrons en couche mince comprenant une électrode inférieure (11), une électrode supérieure, et une couche isolante en sandwich entre l'électrode inférieure (11) et l'électrode supérieure. La première opération du procédé consiste en la formation d'un film anodisé sur la surface de l'électrode inférieure (11) selon une technique d'anodisation. Une deuxième opération consiste en une attache chimique de la face superficielle du film anodisé, une troisième opération consistant en la formation d'un film anodisé, de nouveau sur la surface de l'électrode inférieure (11), selon une technique d'anodisation, de façon à former ladite couche isolante. On arrive ainsi à réduire l'épaisseur de film de la couche extérieure (26) de la couche isolante qui contient beaucoup d'impuretés, et donc à avoir moins d'électrons piégés.
États désignés : CN, JP, KR, US.
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)